公开(公告)号：CN111211030B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN201910601953.6

申请日：2019-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成基 ,  成珉圭 ,  成德镛 ,  李相昊 ,  全康民

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了一种气体注入模块、一种气体注入系统、一种基底处理设备以及一种制造半导体器件的方法。所述气体注入模块包括：喷淋头，具有位于喷淋头的第一区域上的第一注入孔和位于喷淋头的第二区域上的第二注入孔，第二区域位于第一区域的外部；第一分布板，位于喷淋头上，并且具有分别连接到第一注入孔的第一上通道和分别连接到第二注入孔的第二上通道；以及流速控制器，位于第一分布板的第一上通道和第二上通道上。流速控制器使在第一上通道和第二上通道内的压力差减小，从而气体可以在第一注入孔和第二注入孔内具有相似的流速。

公开(公告)号：CN111211030A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201910601953.6

申请日：2019-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成基 ,  成珉圭 ,  成德镛 ,  李相昊 ,  全康民

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了一种气体注入模块、一种气体注入系统、一种基底处理设备以及一种制造半导体器件的方法。所述气体注入模块包括：喷淋头，具有位于喷淋头的第一区域上的第一注入孔和位于喷淋头的第二区域上的第二注入孔，第二区域位于第一区域的外部；第一分布板，位于喷淋头上，并且具有分别连接到第一注入孔的第一上通道和分别连接到第二注入孔的第二上通道；以及流速控制器，位于第一分布板的第一上通道和第二上通道上。流速控制器使在第一上通道和第二上通道内的压力差减小，从而气体可以在第一注入孔和第二注入孔内具有相似的流速。

公开(公告)号：CN111211044A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201910754012.6

申请日：2019-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴世真 ,  金教赫 ,  宣钟宇 ,  成德镛 ,  李成基 ,  李在铉

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 本申请提供了衬底处理设备、衬底处理方法和制造半导体装置的方法。所述衬底处理方法包括：将衬底提供至处理腔室中；将参考光引入至处理腔室中；在处理腔室中生成等离子体光，同时对衬底执行蚀刻处理；接收参考光和等离子体光；以及，通过分析参考光和等离子体光来检测蚀刻结束点。检测蚀刻结束点包括补偿调整，补偿调整基于相对于等离子体光的发射信号的变化率的参考光的吸收信号的变化率。