公开(公告)号：CN100570873C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200310118109.7

申请日：2003-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安正勋 ,  李京泰 ,  郑武京 ,  李庸俊

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/82 ,  H01G4/00

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种集成电路电容器，其容量大并且在制造该电容器时不会出现影响现有技术的问题。该电容器包括上电极，下电极和位于上电极和下电极之间的介质层。对上电极施加第一电压和对下电极施加不同于第一电压的第二电压。一布线层位于与下电极相同或更低的层次中，通过该布线层对上电极施加第一电压。

公开(公告)号：CN1507055A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN200310118109.7

申请日：2003-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安正勋 ,  李京泰 ,  郑武京 ,  李庸俊

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/82 ,  H01G4/00

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种集成电路电容器，其容量大并且在制造该电容器时不会出现影响现有技术的问题。该电容器包括上电极、下电极和位于上电极和下电极之间的介质层。对上电极施加第一电压和对下电极施加不同于第一电压的第二电压。一布线层位于与下电极相同或更低的层次中，通过该布线层对上电极施加第一电压。