公开(公告)号：CN1053757C

公开(公告)日：2000-06-21

申请号：CN95108573.5

申请日：1995-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在蓥 ,  昔容轼

IPC: G11C29/00

CPC classification number: G11C29/50 ,  G01R31/2856 ,  G11C11/401

Abstract: 一种老化检测电路，用于检查有若干存储单元、连接各存储单元的字线和选择字线的行译码器的半导体存储器装置的缺陷单元，包括：通过字线放电通路接收升压及驱动字线的字线提升电压的字线驱动器，和接收老化启动信号及升压的控制电路。字线驱动器与字线连接，并被行译码器的行译码信号控制。控制电路与字线放电通路连接。在正常状态，字线由字线提升电压启动；在老化检测状态，等于或大于升压的老化电压加到字线上。

公开(公告)号：CN1116710A

公开(公告)日：1996-02-14

申请号：CN95108573.5

申请日：1995-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在蓥 ,  昔容轼

IPC: G01R31/28

CPC classification number: G11C29/50 ,  G01R31/2856 ,  G11C11/401

Abstract: 一种老化检测电路，用于检查有若干存储单元、连接各存储单元的字线和选择字线的行译码器的半导体存储器装置的缺陷单元，包括：通过字线放电通路接收升压及驱动字线的字线提升电压的字线驱动器，和接收老化启动信号及升压的控制电路。字线驱动器与字线连接，并被行译码器的行译码信号控制。控制电路与字线放电通路连接。在正常状态，字线由字线提升电压启动；在老化检测状态，等于或大于升压的老化电压加到字线上。

公开(公告)号：CN1065532A

公开(公告)日：1992-10-21

申请号：CN92103104.1

申请日：1992-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在蓥 ,  李东宰

IPC: G01R1/28

CPC classification number: G05F3/245 ,  G05F3/247 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种基准电流产生电路，包括在第一及第二电压间具有电阻装置和MOS晶体管用于输出恒定电压的产生电路，以及一个接于恒定电压和第二电压之间MOS二极管和电阻器R1，从而输出大小为恒定电压减去MOS晶体管的阈值电压再除以电阻R1的阻值的恒定电流。因此，可以输出一个不易受温度和工艺变化影响的基准电流。