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公开(公告)号：CN103778959B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201310502766.5
申请日：2013-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了数据存储设备、控制器以及数据存储设备的操作方法。非易失性存储器包括：存储单元阵列，包括多个非易失性存储单元；解码器，通过多个字线与存储单元阵列连接；数据输入/输出电路，通过多个位线与存储单元阵列连接；电压检测器，被配置成检测电源电压的变化以输出电压变化信号；以及控制逻辑，被配置成控制解码器和数据输入/输出电路从而响应于电压变化信号使存储在存储单元阵列中的数据无效。
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公开(公告)号：CN103427984A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310196937.6
申请日：2013-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F21/31 , G06F21/57 , G06F2221/2105 , G06F2221/2107 , H04L9/0866
Abstract: 一种安全密钥生成装置，包括：ID计算单元，其从第一存储设备接收原始ID并从第一原始ID计算第一介质ID（第一存储设备的唯一标识符）；用户验证信息提供单元，其提供用于验证当前用户的用户验证信息；以及安全密钥生成单元，其用于使用第一介质ID和第一用户验证信息两者来生成第一安全密钥。安全密钥用来加密/解密存储在第一存储设备中的内容。安全密钥生成单元使用第二存储设备的第二介质ID生成第一不同的安全密钥，并且使用第二用户的用户验证信息生成第二不同的安全密钥。只有第一安全密钥可以用来解密使用第一安全密钥加密的、存储在第一存储设备中的加密的内容。
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公开(公告)号：CN117497548A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310962842.4
申请日：2023-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：第一衬底层；比第一衬底层更厚的第二衬底层；衬底间绝缘层，其布置在第一衬底层与第二衬底层之间；第一杂质区、成对的第二杂质区、以及第三杂质区，它们彼此间隔开并且布置在第一衬底层的一些部分上。图像传感器还包括：光电二极管区，其构成布置在第二衬底层上的光感测装置；传输晶体管，其包括第一栅电极层，第一栅电极层填充栅极孔、穿过第一衬底层和衬底间绝缘层、并且延伸至第二衬底层；以及浮动扩散区，其布置在第一衬底层的一侧上并且连接至传输晶体管。
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公开(公告)号：CN103578533B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201310319561.3
申请日：2013-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G06F9/4401 , G11C7/20 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C13/004 , G11C29/028 , G11C2029/0407 , G11C2029/4402
Abstract: 公开了一种包括可变电阻存储器的存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：非易失性存储器装置，包括可变电阻存储器；控制器，被构造为控制非易失性存储器装置。在启动操作，控制器将启动信息存储在非易失性存储器装置的可变电阻存储器中。在重新启动操作，基于与启动操作相关联的启动设置条件和与重新启动操作相关联的重新启动条件之间的比较结果，控制器使用存储在可变电阻存储器中的启动信息选择性地执行热启动操作。
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公开(公告)号：CN103578533A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310319561.3
申请日：2013-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G06F9/4401 , G11C7/20 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C13/004 , G11C29/028 , G11C2029/0407 , G11C2029/4402
Abstract: 公开了一种包括可变电阻存储器的存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：非易失性存储器装置，包括可变电阻存储器；控制器，被构造为控制非易失性存储器装置。在启动操作，控制器将启动信息存储在非易失性存储器装置的可变电阻存储器中。在重新启动操作，基于与启动操作相关联的启动设置条件和与重新启动操作相关联的重新启动条件之间的比较结果，控制器使用存储在可变电阻存储器中的启动信息选择性地执行热启动操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1400604A
公开(公告)日：2003-03-05
申请号：CN02105066.X
申请日：2002-02-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C7/1069 , G11C7/065 , G11C7/1048 , G11C7/1051 , G11C7/1078 , G11C7/1096 , G11C7/12 , G11C2207/002
Abstract: 一种存储器控制电路，包括按照一个读控制信号和一个地址值控制的读充电控制电路。按照一个写控制信号和相同的或不同的一个地址控制写充电控制电路。利用读充电控制电路和写充电控制电路控制向相同的数据I/O线的充电和自相同的数据I/O线的充电。一种列选择线电路可配置成第一装置，其中的第一输出按照读控制输入和地址激励，第二输出按照写控制输入和相同的或不同的地址激励。在第二装置中，按照地址和读控制信号或写控制信号激励第一输出。
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公开(公告)号：CN116314218A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211601877.7
申请日：2022-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李元奭
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及图像传感器和/或用于制造图像传感器的方法。该图像传感器可以包括：基板，包括第一表面、与第一表面相反的第二表面以及在基板中的多个单位像素区；像素限定图案；和微透镜。多个单位像素区中的每个可以包括光电转换层。像素限定图案可以在第一方向上延伸穿过基板，从而限定每个单位像素区。微透镜可以在基板的第二表面上并对应于单位像素区。像素限定图案可以包括第一导电层和与第一导电层间隔开的第二导电层。
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公开(公告)号：CN116110952A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211407805.9
申请日：2022-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/417 , H01L27/146
Abstract: 公开了一种半导体器件和一种图像传感器，该半导体器件包括：衬底；衬底上的栅极结构，其包括平行于第一方向延伸并且在第二方向上彼此间隔开的第一侧和第二侧以及平行于第二方向延伸的第三侧；以及多个源极/漏极区，其包括在第二方向上彼此间隔开的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区，以及在第一方向上与第一源极/漏极区和第二源极/漏极区中的至少一个间隔开的第三源极/漏极区，第一源极/漏极区和第二源极/漏极区分别与第一侧和第二侧重叠，第三源极/漏极区与第一侧和第三侧之一重叠，并且施加至第一源极/漏极区和第二源极/漏极区的电压和施加至第三源极/漏极区的电压基于它们各自彼此不同的值进行操作。
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公开(公告)号：CN102290105A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110056113.X
申请日：2011-03-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/56 , G11C11/5628 , G11C14/0018 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C2211/5641 , G11C2211/5642 , G11C2211/5643
Abstract: 一种数据存储设备包括：包括存储单元阵列的非易失性存储器件；和包括缓冲存储器并控制该非易失性存储器件的存储器控制器。该数据存储设备的操作方法包括：根据外部请求将数据存储在缓冲存储器中，并确定存储在该缓冲存储器中的数据是否是伴随该存储单元阵列的缓冲器编程操作的数据。当存储在该缓冲存储器中的数据是伴随该缓冲器编程操作的数据时，该方法还包括确定是否需要对该存储单元阵列的主编程操作，以及当需要对存储单元阵列的主编程操作时，确定对该存储单元阵列的主编程操作的编程模式。该方法还包括基于确定的编程模式向该多位存储器件发出用于对该存储单元阵列的主编程操作的命令的集合。
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公开(公告)号：CN115440755A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210608318.2
申请日：2022-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：布置在基板中的光电二极管；有源柱，连接到光电二极管并在垂直于基板的底表面的垂直方向上延伸；在垂直方向上堆叠的至少两个晶体管，其中有源柱的部分是所述至少两个晶体管的沟道区；浮置扩散(FD)区，设置在作为所述至少两个晶体管之一的转移晶体管下方，其中FD区被配置为通过转移晶体管和有源柱的所述部分从光电二极管接收电荷；以及设置在基板的顶表面上的透光层。
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