公开(公告)号：CN109671462A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201810863665.3

申请日：2018-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金灿河 ,  康淑恩 ,  金志秀 ,  卢承京 ,  李东起 ,  李允宑 ,  李镇旭 ,  李熙元 ,  张俊锡 ,  崔永夏

IPC: G11C16/26

CPC classification number: G11C16/10 ,  G06K9/6223 ,  G06K9/6226 ,  G11C5/063 ,  G11C8/12 ,  G11C16/08 ,  G11C16/3445 ,  G11C16/3459 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/50004 ,  G11C16/26

Abstract: 一种包括控制器的存储设备的操作方法：从非易失性存储器接收读取数据；基于接收到的读取数据测量分别对应于非易失性存储器的多个存储单元块的多个阈值电压分布；基于所测量的多个阈值电压分布来测量多个存储单元块之间的分布变化；基于所测量的分布变化来动态地确定用于非易失性存储器的操作参数；以及向非易失性存储器发送操作命令、地址和与该地址相对应的至少一个操作参数。

公开(公告)号：CN109671462B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201810863665.3

申请日：2018-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金灿河 ,  康淑恩 ,  金志秀 ,  卢承京 ,  李东起 ,  李允宑 ,  李镇旭 ,  李熙元 ,  张俊锡 ,  崔永夏

IPC: G11C16/26

Abstract: 一种包括控制器的存储设备的操作方法：从非易失性存储器接收读取数据；基于接收到的读取数据测量分别对应于非易失性存储器的多个存储单元块的多个阈值电压分布；基于所测量的多个阈值电压分布来测量多个存储单元块之间的分布变化；基于所测量的分布变化来动态地确定用于非易失性存储器的操作参数；以及向非易失性存储器发送操作命令、地址和与该地址相对应的至少一个操作参数。

公开(公告)号：CN116110449A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211394853.9

申请日：2022-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪振祐 ,  姜熙雄 ,  李允宑

IPC: G11C8/04 ,  G11C8/08 ,  G11C16/06 ,  G11C16/08 ,  G11C16/34

Abstract: 一种存储器控制器可以包括：权重管理单元，被配置为存储权重，所述权重基于多个存储器块的多条字线中的每一条的读取干扰强度；计数器，被配置为基于从权重管理单元获得的目标字线的权重来增加包括目标字线在内的管理组的读取计数，该计数器被配置为响应于控制器从外部主机设备接收到针对目标字线的读取请求来增加读取计数；以及验证操作确定单元，被配置为基于参考间隔计数与包括目标字线在内的管理组的读取计数的比较，确定是执行还是不执行字线验证操作。

公开(公告)号：CN113223590A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202011294090.1

申请日：2020-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李侊祐 ,  洚振佑 ,  李允宑

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/34 ,  G06F12/0882 ,  G06F3/06

Abstract: 提供了存储设备和存储设备的操作方法。所述存储设备包括非易失性存储装置，所述非易失性存储装置包括第一存储区和第二存储区。所述存储设备的控制器控制所述非易失性存储装置，并且执行如下读取回收操作：读取存储在所述非易失性存储装置的所述第一存储区中的数据，并将读取到的所述数据写入所述第二存储区。所述控制器还被配置为：在所述读取回收操作中，允许所述非易失性存储装置对所述第一存储区执行样本读取操作，并基于所述样本读取操作的结果确定所述第二存储区中的将要被写入所述数据的位置。

公开(公告)号：CN112420109A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010748789.4

申请日：2020-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李允宑 ,  金灿河 ,  卢羌镐 ,  李熙元

IPC: G11C16/26

Abstract: 一种非易失性存储器设备包括：存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括多个单元串，单元串中的至少一个包括在与基板的表面垂直的方向上堆叠的多个存储器单元，存储器单元中的至少一个是存储至少三个比特的多层级单元；以及控制逻辑电路，被配置为控制页缓冲器以利用一个读取电压来读取存储器单元的快速读取页以及存储器单元的至少两个正常读取页利用相同数量的读取电压来读取。

公开(公告)号：CN110827907B

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN201910733387.4

申请日：2019-08-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李允宑 ,  金灿河 ,  康淑恩 ,  卢承京 ,  李侊祐 ,  李柱元 ,  李镇旭 ,  李熙元

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/30 ,  G11C16/08

Abstract: 公开了一种储存设备，包括：非易失性存储器器件，包括存储器块和存储器控制器。存储器块包括与第一字线连接的第一存储器区域和与第二字线连接的第二存储器区域。存储器控制器基于第一存储器区域的第一读取电压设置读取块电压。存储器控制器基于变化信息和读取块电压确定第二存储器区域的第二读取电压。

公开(公告)号：CN112420109B

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202010748789.4

申请日：2020-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李允宑 ,  金灿河 ,  卢羌镐 ,  李熙元

IPC: G11C16/26

Abstract: 一种非易失性存储器设备包括：存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括多个单元串，单元串中的至少一个包括在与基板的表面垂直的方向上堆叠的多个存储器单元，存储器单元中的至少一个是存储至少三个比特的多层级单元；以及控制逻辑电路，被配置为控制页缓冲器以利用一个读取电压来读取存储器单元的快速读取页以及存储器单元的至少两个正常读取页利用相同数量的读取电压来读取。

公开(公告)号：CN116110477A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202210867496.7

申请日：2022-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李允宑 ,  姜熙雄

IPC: G11C16/34

Abstract: 一种存储设备包括非易失性存储器件和存储控制器，该存储控制器允许非易失性存储器件对属于所选择的存储块中的所选择的页的存储单元执行读取操作。在读取操作之后，存储控制器在顺序地选择读取电压集合时允许非易失性存储器件对第一相邻页的存储单元执行第一检查读取操作。在第一检查读取操作之后，存储控制器在顺序地选择读取电压集合时允许非易失性存储器件对第二相邻页的存储单元执行第二检查读取操作。在第二检查读取操作中，存储控制器首先选择在纠错成功的第一检查读取操作中使用的读取电压集合。

公开(公告)号：CN114579486A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202111428083.0

申请日：2021-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳尚辰 ,  李允宑 ,  李熙元 ,  李侊祐

IPC: G06F13/16 ,  G06N20/00

Abstract: 公开了一种控制器的操作方法，该控制器被配置为控制非易失性存储器件。该方法包括：从非易失性存储器件接收与包括在非易失性存储器件中的选定存储单元相关联的单元计数数据；基于单元计数数据来调整非易失性存储器件的操作参数；基于调整后的操作参数对选定存储单元执行谷值搜索操作；以及基于谷值搜索操作的结果对选定存储单元执行读操作。

公开(公告)号：CN112863579A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011349291.7

申请日：2020-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪振祐 ,  金灿河 ,  卢羌镐 ,  卢承京 ,  李允宑 ,  李熙元

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/08 ,  G11C16/34

Abstract: 提供了存储装置及其操作方法。所述存储装置包括非易失性存储器和存储器控制器。非易失性存储器包括均包含多条字线的存储器块。存储器控制器确定所述多条字线中的每条字线的字线强度，基于字线强度调整所述多条字线中的每条字线的状态计数，并且调整所述多条字线中的每条字线的编程参数以减小所述多条字线之间的编程时间变化。