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公开(公告)号：CN113223590A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202011294090.1
申请日：2020-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26 , G11C16/34 , G06F12/0882 , G06F3/06
Abstract: 提供了存储设备和存储设备的操作方法。所述存储设备包括非易失性存储装置，所述非易失性存储装置包括第一存储区和第二存储区。所述存储设备的控制器控制所述非易失性存储装置，并且执行如下读取回收操作：读取存储在所述非易失性存储装置的所述第一存储区中的数据，并将读取到的所述数据写入所述第二存储区。所述控制器还被配置为：在所述读取回收操作中，允许所述非易失性存储装置对所述第一存储区执行样本读取操作，并基于所述样本读取操作的结果确定所述第二存储区中的将要被写入所述数据的位置。
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公开(公告)号：CN114582401A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111228000.3
申请日：2021-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了在非易失性存储器件中写入数据的方法、执行写入数据的方法的非易失性存储器件以及使用写入数据的方法操作存储系统的方法。在非易失性存储器件中写入数据的方法中，接收写入命令、写入地址和要被编程的写入数据。在表示验证电平的偏移信息被提供时，接收偏移信息。当通过检查写入数据的输入/输出(I/O)模式而确定写入数据对应于分布劣化模式时，提供偏移信息。当接收到偏移信息时，基于偏移信息对写入数据进行编程，使得存储了写入数据的存储单元的阈值电压分布中包括的多个状态当中的至少一个状态改变。
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公开(公告)号：CN112486405A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202010945601.5
申请日：2020-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储设备，包括：特征信息数据库，被配置为存储关于存储器设备的特征信息；以及机器学习模块，被配置为基于该特征信息从与存储器设备的操作相对应的多个机器学习模型中选择机器学习模型，其中该存储器设备被配置为根据所选择的机器学习模型来进行操作。
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公开(公告)号：CN112420110A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010836633.1
申请日：2020-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种能够最小化与读取扰动相关联的监视开销的非易失性存储器设备。该非易失性存储器设备包括：存储器单元阵列，其包括第一单元串，该第一单元串包括串联连接的多个存储器单元，其中，多个存储器单元包括第一监视单元、第一存储器单元和第二存储器单元；以及行解码器，其当读取存储器单元当中的第一存储器单元时，向第一存储器单元提供第一读取电压并且向第一监视单元提供第一监视电压，并且当读取第二存储器单元时，向第二存储器单元提供第一读取电压并且向第一监视单元提供不同于第一监视电压的第二监视电压。
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公开(公告)号：CN110827907B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN201910733387.4
申请日：2019-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种储存设备，包括：非易失性存储器器件，包括存储器块和存储器控制器。存储器块包括与第一字线连接的第一存储器区域和与第二字线连接的第二存储器区域。存储器控制器基于第一存储器区域的第一读取电压设置读取块电压。存储器控制器基于变化信息和读取块电压确定第二存储器区域的第二读取电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112420110B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202010836633.1
申请日：2020-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种能够最小化与读取扰动相关联的监视开销的非易失性存储器设备。该非易失性存储器设备包括：存储器单元阵列，其包括第一单元串，该第一单元串包括串联连接的多个存储器单元，其中，多个存储器单元包括第一监视单元、第一存储器单元和第二存储器单元；以及行解码器，其当读取存储器单元当中的第一存储器单元时，向第一存储器单元提供第一读取电压并且向第一监视单元提供第一监视电压，并且当读取第二存储器单元时，向第二存储器单元提供第一读取电压并且向第一监视单元提供不同于第一监视电压的第二监视电压。
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公开(公告)号：CN115731991A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210546470.2
申请日：2022-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储装置、存储控制器以及存储控制器的操作方法，所述存储装置包括：非易失性存储器，包括多个存储器块；和存储控制器，包括历史缓冲器，历史缓冲器包括与所述多个存储器块对应的多个历史读取电平存储区域。存储控制器在存储装置的运行时间期间基于所述多个存储器块的可靠性来动态地调整分配给所述多个存储器块中的一个或多个存储器块的历史读取电平存储区域的数量。存储控制器增加分配给所述多个存储器块之中的第一存储器块的历史读取电平存储区域的数量，第一存储器块相对于所述多个存储器块中的其余存储器块的可靠性具有相对低的可靠性。
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公开(公告)号：CN115718563A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202210888609.1
申请日：2022-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了包括存储控制器的存储装置和用于操作存储控制器的方法。所述用于操作存储控制器的方法包括：接收第一读取命令；使用第一读取电平执行对存储在非易失性存储器中的数据的第一读取，并接收第一读取数据；执行对第一读取数据的第一纠错解码以确定第一纠错解码是否成功；使用预定方法确定第二读取电平，并确定第二读取电平的第一软决策偏移值；使用确定的第二读取电平和第一软决策偏移值读取存储在非易失性存储器中的数据，并接收第一软决策数据；执行对第一软决策数据的第二纠错解码以确定第二纠错解码是否成功；并存储第二读取电平、用于确定第二读取电平的第一方法和第一软决策偏移值。
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公开(公告)号：CN114579486A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111428083.0
申请日：2021-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种控制器的操作方法，该控制器被配置为控制非易失性存储器件。该方法包括：从非易失性存储器件接收与包括在非易失性存储器件中的选定存储单元相关联的单元计数数据；基于单元计数数据来调整非易失性存储器件的操作参数；基于调整后的操作参数对选定存储单元执行谷值搜索操作；以及基于谷值搜索操作的结果对选定存储单元执行读操作。
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公开(公告)号：CN110827907A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910733387.4
申请日：2019-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种储存设备，包括：非易失性存储器器件，包括存储器块和存储器控制器。存储器块包括与第一字线连接的第一存储器区域和与第二字线连接的第二存储器区域。存储器控制器基于第一存储器区域的第一读取电压设置读取块电压。存储器控制器基于变化信息和读取块电压确定第二存储器区域的第二读取电压。
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