公开(公告)号：CN101114271B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200710136795.9

申请日：2007-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申莲姬 ,  孙汉求 ,  李英敏 ,  李东奕 ,  朴钟旭 ,  李镐哲 ,  金美调 ,  金中植 ,  李彰浩

IPC: G06F15/167 ,  G11C7/10

Abstract: 一种可多路径访问半导体存储器件，在处理器之间提供接口功能。该存储器件可包括：存储单元阵列，具有在操作上与两个或多个端口相连的共享存储区，所述两个或多个端口可独立地由两个或多个处理器访问；访问路径形成单元，用于响应于处理器所施加的外部信号，在端口之一和共享存储区之间形成数据访问路径；以及接口单元，具有共享存储区中可由这两个或多个处理器访问的标志区和邮箱区，以便为这两个或多个处理器之间的通信提供接口功能。

公开(公告)号：CN102479769A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110375411.5

申请日：2011-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东奕 ,  吴致成

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/544

CPC classification number: G11C29/48 ,  G11C29/1201 ,  H01L22/32 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11622 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件包括：半导体衬底；凸点，沿着半导体衬底的第一轴方向布置为多行；和测试焊盘，沿着与第一轴方向垂直的第二轴方向布置为一列或多列。凸点和测试焊盘在半导体衬底的中间部分中形成十字形。通过将凸点布置在半导体衬底的中间部分中，有助于在半导体堆叠的堆叠半导体器件之间形成物理连接，而无论芯片尺寸如何。

公开(公告)号：CN1901083A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610128504.7

申请日：2006-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东奕

IPC: G11C7/06 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C7/18 ,  G11C7/1006 ,  G11C7/12 ,  G11C2207/002

Abstract: 提供一种具有连接位线的半导体存储设备及其数据移位方法。该半导体存储设备的实施例包括：多个存储单元模块，每一个具有多个位线和多个字线；多个读出放大器模块，分别配置在存储单元模块之间，其中每个读出放大器模块包括对应于位线的多个读出放大器电路；以及多个开关。开关响应于移位信号，连接不共用之间配置有读出放大器模块的相邻存储单元模块的位线中的读出放大器模块的位线。因此，在该半导体存储设备及其数据移位方法中，有可能容易地将在连接于任意字线的存储单元内存储的数据移位到与另一个任意字线连接的存储单元中。

公开(公告)号：CN102543941A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110447057.2

申请日：2011-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金中植 ,  李东奕 ,  李镐哲 ,  柳长佑

IPC: H01L23/52 ,  H01L25/065 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L23/5258 ,  G01K7/01 ,  G01K13/10 ,  H01L23/34 ,  H01L23/481 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01068

Abstract: 公开了用于在多个半导体层之间稳定地传送信号的采用了堆叠结构的半导体器件、存储器件、系统和方法。所述器件包括至少第一半导体芯片和至少一个贯通衬底通路，该第一半导体芯片包括第一温度传感器电路，该第一温度传感器电路被配置成输出与第一半导体芯片相关的第一温度信息。

公开(公告)号：CN101114271A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200710136795.9

申请日：2007-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申莲姬 ,  孙汉求 ,  李英敏 ,  李东奕 ,  朴钟旭 ,  李镐哲 ,  金美调 ,  金中植 ,  李彰浩

IPC: G06F15/167 ,  G11C7/10

Abstract: 一种可多路径访问半导体存储器件，在处理器之间提供接口功能。该存储器件可包括：存储单元阵列，具有在操作上与两个或多个端口相连的共享存储区，所述两个或多个端口可独立地由两个或多个处理器访问；访问路径形成单元，用于响应于处理器所施加的外部信号，在端口之一和共享存储区之间形成数据访问路径；以及接口单元，具有共享存储区中可由这两个或多个处理器访问的标志区和邮箱区，以便为这两个或多个处理器之间的通信提供接口功能。

公开(公告)号：CN101000799A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200610171775.0

申请日：2006-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东奕

IPC: G11C11/4063 ,  G11C11/4074 ,  G11C11/413 ,  G11C11/4193 ,  G11C5/00 ,  G11C7/00

CPC classification number: H03K5/08

Abstract: 为向至少一个主电流消耗单元提供电压，电压提供单元在供电节点为至少一个主电流消耗单元提供电压。此外，辅助电流消耗单元，在所述至少一个主电流消耗单元开始传导电流前，在至少预定时间段内自供电节点传导辅助电流/将辅助电流传导至供电节点。从而避免了供电节点处的电压过冲。