公开(公告)号：CN117479541A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310857894.5

申请日：2023-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴芮鉁 ,  金承允 ,  安钟善 ,  金希锡 ,  沈载煌

IPC: H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B41/27 ,  H10B41/35

Abstract: 公开了半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统。该半导体装置包括：基底；导电层；以及连接到导电层的接触插塞。接触插塞包括第一部分；以及顺序堆叠的第二部分，其中，第一部分的上表面的宽度比第二部分的下表面的宽度宽。接触插塞包括阻挡层；阻挡层上的第一导电层；以及第一导电层上的第二导电层。第二导电层包括孔隙。阻挡层、第一导电层和第二导电层在第一部分和第二部分中连续延伸。阻挡层具有第一厚度，第二导电层具有等于或大于第一厚度的第二厚度，并且第一导电层具有等于或大于第二厚度的第三厚度。

公开(公告)号：CN117896984A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202310698983.X

申请日：2023-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴芮鉁 ,  金承允 ,  金希锡 ,  金亨珍 ,  张世熙 ,  申旼树 ,  辛承俊 ,  千相勳 ,  韩智勳 ,  沈载煌 ,  安钟善

IPC: H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/50 ,  H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B41/50

Abstract: 公开了半导体装置和包括该半导体装置的电子系统。所述半导体装置包括：第一栅极堆叠结构，包括彼此交替地堆叠的第一介电图案和第一导电图案；存储器沟道结构，包括穿透第一栅极堆叠结构的第一存储器部分；贯通接触件，包括在与第一存储器部分的水平相同的水平处的第一贯通部分；以及连接接触件，包括在与第一存储器部分的水平和第一贯通部分的水平相同的水平处的第一连接部分。第一存储器部分的最小宽度小于第一贯通部分的最小宽度和第一连接部分的最小宽度。