公开(公告)号：CN1042463C

公开(公告)日：1999-03-10

申请号：CN94114983.8

申请日：1994-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁哲珉 ,  李正熙 ,  安基植 ,  朴熙哲

IPC: G11C11/407 ,  H03K19/0175

CPC classification number: G11C7/1057 ,  G11C7/1051 ,  H03K19/0013 ,  H03K19/017527

Abstract: 一种适用于半导体存储器件的电平移动器和数据输出缓冲器，包括存储数据的存储单元、放大从存储单元读出的数据以产生ECL电平输出信号的读出放大器，将ECL电平输出信号转换成CMOS电平信号的电平移动器。电平移动器具有用于输入ECL电平数据以便将其转换为CMOS电平而输出其结果的电平移动装置和延迟电平移动装置输出的信号以便控制其电流消耗的延迟装置，在使ECL电平信号转换成CMOS电平的同时降低电流消耗。

公开(公告)号：CN1135619C

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN96116722.X

申请日：1996-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁香子 ,  朴熙哲

IPC: H01L23/60

CPC classification number: H01L27/0266

Abstract: 半导体器件静电泄放结构，包括P型杂质掺杂的半导体衬底；在半导体衬底一定区域中形成的N型阱；在N型阱一定区域中形成的P型槽阱；在N型阱表面形成并且掺杂浓度高于N型阱的N型有源保护环；在P型槽阱的表面形成并且掺杂浓度高于P型槽阱的P型有源保护环；以及在P型槽阱表面形成的NMOS晶体管。即使静电电荷导致的负电压暂时加到NMOS晶体管漏区，也可防止P型半导体衬底上形成的内部电路出现故障。

公开(公告)号：CN1154578A

公开(公告)日：1997-07-16

申请号：CN96116722.X

申请日：1996-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁香子 ,  朴熙哲

IPC: H01L23/60

CPC classification number: H01L27/0266

Abstract: 半导体器件静电泄放结构，包括P型杂质掺杂的半导体衬底；在半导体衬底一定区域中形成的N型阱；在N型阱一定区域中形成的P型槽阱；在N型阱表面形成并且掺杂浓度高于N型阱的N型有源保护环；在P型槽阱的表面形成并且掺杂浓度高于P型槽阱的P型有源保护环；以及在P型槽阱表面形成的NMOS晶体管。即使静电电荷导致的负电压暂时加到NMOS晶体管漏区，也可防止P型半导体衬底上形成的内部电路出现故障。

公开(公告)号：CN1244018A

公开(公告)日：2000-02-09

申请号：CN99105435.0

申请日：1999-04-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金修彻 ,  朴熙哲

IPC: G11C11/40

CPC classification number: G11C7/1051 ,  G11C7/1072 ,  G11C7/22

Abstract: 带有流水线多位预取结构的同步猝发半导体存储器件包括分别用于读和写猝发模式的分离的内部地址发生器。同步存储器件还采用:用以减少核心周期时间的自动跟踪位线设计,用于减少电流的缩短主数据线,通过双轨复位动态电路而具有高速传送特性的噪声免除电路,和与输出数据同步以保证处理器数据有效性校验时间的选通时钟。

公开(公告)号：CN1101748A

公开(公告)日：1995-04-19

申请号：CN94114983.8

申请日：1994-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁哲民 ,  李正熙 ,  安基植 ,  朴熙哲

IPC: G11C11/40

CPC classification number: G11C7/1057 ,  G11C7/1051 ,  H03K19/0013 ,  H03K19/017527

Abstract: 一种适用于半导体存储器件的电平移动器和数据输出缓冲器，包括存储数据的存储单元、放大从存储单元读出的数据以产生ECL电平输出信号的读出放大器，将ECL电平输出信号转换成CMOS电平信号的电平移动器。电平移动器具有用于输入ECL电平数据以便将其转换为CMOS电平而输出其结果的电平移动装置和延迟电平移动装置输出的信号以便控制其电流消耗的延迟装置，在使ECL电平信号转换成CMOS电平的同时降低电流消耗。

公开(公告)号：CN1326150C

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN99105435.0

申请日：1999-04-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金修彻 ,  朴熙哲

IPC: G11C11/40

CPC classification number: G11C7/1051 ,  G11C7/1072 ,  G11C7/22

Abstract: 带有流水线多位预取结构的同步猝发半导体存储器件包括分别用于读和写猝发模式的分离的内部地址发生器。同步存储器件还采用：用以减少核心周期时间的自动跟踪位线设计，用于减少电流的缩短主数据线，通过双轨复位动态电路而具有高速传送特性的噪声免除电路，和与输出数据同步以保证处理器数据有效性校验时间的选通时钟。