公开(公告)号：CN108231772B

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN201711180587.9

申请日：2017-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴志雄 ,  李垣哲

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 本发明涉及半导体器件及制造其的方法。提供一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，其包括包含第一区域和第二区域的单元区域以及比邻近第一区域更邻近第二区域的周边区域；分别设置在第一区域和第二区域中的第一下电极和第二下电极；分别设置在第一下电极和第二下电极的外壁上的第一下支撑图案和第二下支撑图案；上支撑图案，其设置在第一下电极和第二下电极的外壁上，并且在第一下支撑图案和第二下支撑图案上且与第一下支撑图案和第二下支撑图案间隔开；电介质层，其设置在第一下电极和第二下电极、第一下支撑图案和第二下支撑图案以及上支撑图案的表面上；以及上电极，其设置在电介质层的表面上，其中第一下支撑图案的厚度小于第二下支撑图案的厚度。

公开(公告)号：CN108231771A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201710991806.5

申请日：2017-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴志雄 ,  李垣哲 ,  朴济民

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10808 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L28/87 ,  H01L28/91 ,  H01L27/108

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；设置在衬底上并在第一方向上彼此间隔开第一结构、第二结构和第三结构，其中第一结构、第二结构和第三结构的每个包括下电极；以及支撑物图案，其支撑第一结构、第二结构和第三结构并包括第一区域和第二区域，其中第一区域暴露第一结构、第二结构和第三结构的侧壁的第一部分，第二区域围绕第一结构、第二结构和第三结构的侧壁的第二部分。支撑物图案的在第一结构与第二结构之间的侧壁的第一长度大于第一结构与第二结构之间的第一距离。支撑物图案的在第二结构与第三结构之间的侧壁的第二长度大于第二结构与第三结构之间的第二距离。

公开(公告)号：CN108231772A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711180587.9

申请日：2017-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴志雄 ,  李垣哲

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10855 ,  G11C5/025 ,  G11C7/12 ,  G11C11/403 ,  G11C11/412 ,  G11C11/416 ,  G11C11/565 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28568 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/1116 ,  H01L27/11293 ,  H01L28/91 ,  H01L28/92 ,  H01L49/02

Abstract: 本发明涉及半导体器件及制造其的方法。提供一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，其包括包含第一区域和第二区域的单元区域以及比邻近第一区域更邻近第二区域的周边区域；分别设置在第一区域和第二区域中的第一下电极和第二下电极；分别设置在第一下电极和第二下电极的外壁上的第一下支撑图案和第二下支撑图案；上支撑图案，其设置在第一下电极和第二下电极的外壁上，并且在第一下支撑图案和第二下支撑图案上且与第一下支撑图案和第二下支撑图案间隔开；电介质层，其设置在第一下电极和第二下电极、第一下支撑图案和第二下支撑图案以及上支撑图案的表面上；以及上电极，其设置在电介质层的表面上，其中第一下支撑图案的厚度小于第二下支撑图案的厚度。