公开(公告)号：CN110010173A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811352239.X

申请日：2018-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林石昡 ,  金尚玧 ,  朴德夏 ,  金恩我

IPC: G11C11/406 ,  G11C11/4074

Abstract: 本发明提供一种操作存储器装置的方法以及一种刷新由非易失性存储器装置的存储器单元存储的数据的方法。具有存储器单元的存储器装置在正常模式、第一自刷新模式和第二自刷新模式中操作。第一自刷新模式提供用于在不具有外部命令的情况下保持存储在存储器单元中的数据的自刷新操作。从第一自刷新模式返回正常模式所需的时间比参考时间短。第二自刷新模式也提供所述自刷新操作，但是从第二自刷新模式返回正常模式所需的时间比参考时间长。与第二自刷新模式相比，正常模式向存储器单元提供较高的工作电压。

公开(公告)号：CN101231882A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200710307761.1

申请日：2007-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴德夏 ,  宋基焕 ,  金真怜

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/4063 ,  G11C11/4096 ,  G11C11/408 ,  G11C11/4091

Abstract: 提供了一种半导体集成电路及其操作方法。一个实施例包括多条字线、多条源极线、与所述多条字线交叉的多条位线，以及在多条字线和多条位线的交叉点形成的多个存储器单元。所述多个存储器单元的每一个为浮置体单元。每个浮置体单元的栅极连接到字线之一，每个浮置体单元的漏极连接到位线之一，并且每个浮置体单元的源极连接到源极线之一。至少一个位线和源极线选择电路被配置成选择性地将多条位线中的每一条连接到第一输出位线，并且选择性地将源极线连接到源极电压。至少一个读出放大器被配置成基于第一输出位线上的电压读出数据。

公开(公告)号：CN101206917A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200710199845.8

申请日：2007-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真怜 ,  宋基焕 ,  朴德夏

IPC: G11C11/4063 ,  G11C11/4091

CPC classification number: G11C11/4091 ,  G11C11/4096 ,  G11C2207/002 ,  G11C2207/005 ,  G11C2211/4016

Abstract: 一种半导体集成电路包括：多个字线；与该多个字线交叉的多个位线；在该多个字线和多个位线的交叉处形成并连接到该多个字线和多个位线的多个存储器单元。该多个存储器单元的每一个可以是浮置体单元。位线选择电路可以被配置为选择性地将该多个位线的每一个连接到输出位线。该实施例还可以包括多个读出放大器，其中该多个读出放大器的数目大于1且小于该多个位线的数目。读出放大器开关结构可以被配置为选择性地将该多个读出放大器的每一个连接到该输出位线。

公开(公告)号：CN110010173B

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN201811352239.X

申请日：2018-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林石昡 ,  金尚玧 ,  朴德夏 ,  金恩我

IPC: G06F1/3296 ,  G11C11/406 ,  G11C11/4074

Abstract: 本发明提供一种操作存储器装置的方法以及一种刷新由非易失性存储器装置的存储器单元存储的数据的方法。具有存储器单元的存储器装置在正常模式、第一自刷新模式和第二自刷新模式中操作。第一自刷新模式提供用于在不具有外部命令的情况下保持存储在存储器单元中的数据的自刷新操作。从第一自刷新模式返回正常模式所需的时间比参考时间短。第二自刷新模式也提供所述自刷新操作，但是从第二自刷新模式返回正常模式所需的时间比参考时间长。与第二自刷新模式相比，正常模式向存储器单元提供较高的工作电压。