公开(公告)号：CN110010173A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811352239.X

申请日：2018-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林石昡 ,  金尚玧 ,  朴德夏 ,  金恩我

IPC: G11C11/406 ,  G11C11/4074

Abstract: 本发明提供一种操作存储器装置的方法以及一种刷新由非易失性存储器装置的存储器单元存储的数据的方法。具有存储器单元的存储器装置在正常模式、第一自刷新模式和第二自刷新模式中操作。第一自刷新模式提供用于在不具有外部命令的情况下保持存储在存储器单元中的数据的自刷新操作。从第一自刷新模式返回正常模式所需的时间比参考时间短。第二自刷新模式也提供所述自刷新操作，但是从第二自刷新模式返回正常模式所需的时间比参考时间长。与第二自刷新模式相比，正常模式向存储器单元提供较高的工作电压。

公开(公告)号：CN110010173B

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN201811352239.X

申请日：2018-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林石昡 ,  金尚玧 ,  朴德夏 ,  金恩我

IPC: G06F1/3296 ,  G11C11/406 ,  G11C11/4074

Abstract: 本发明提供一种操作存储器装置的方法以及一种刷新由非易失性存储器装置的存储器单元存储的数据的方法。具有存储器单元的存储器装置在正常模式、第一自刷新模式和第二自刷新模式中操作。第一自刷新模式提供用于在不具有外部命令的情况下保持存储在存储器单元中的数据的自刷新操作。从第一自刷新模式返回正常模式所需的时间比参考时间短。第二自刷新模式也提供所述自刷新操作，但是从第二自刷新模式返回正常模式所需的时间比参考时间长。与第二自刷新模式相比，正常模式向存储器单元提供较高的工作电压。