公开(公告)号：CN100416842C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200310102405.8

申请日：2003-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李守根 ,  朴基彻 ,  李敬雨

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/14 ,  H04N5/335 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L31/022408 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76865 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14685 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种CMOS图像传感器件的结构及其制造方法，该传感器件包括：一形成在衬底中的光电二极管；至少一条与光电二极管电连接的导电互连线；一具有光线入口的光线通路，设置成与光电二极管对正；一彩色滤光片，设置在光线通路的光线入口的上方；以及一透镜，设置在彩色滤光片的上方，并与光线通路对正，其中，所述至少一条导电互连线包括一铜互连线结构，导电互连线具有叠层构造的多个层间介质层，并在相邻的层间介质层之间设置有一扩散阻挡层，以及在铜互连结构与所述多个层间介质层之间设置阻挡金属层，铜互连线结构穿插扩散阻挡层。扩散阻挡层由不透明材料形成，并位于隔离区和多个晶体管上方以定义光线通路。

公开(公告)号：CN1518119A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200310102405.8

申请日：2003-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李守根 ,  朴基彻 ,  李敬雨

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/14 ,  H04N5/335 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L31/022408 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76865 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14685 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种CMOS图像传感器件的结构及其制造方法，该传感器件包括：一形成在衬底中的光电二极管；至少一条与光电二极管电连接的导电互连线；一具有光线入口的光线通路，设置成与光电二极管对正；一彩色滤光片，设置在光线通路的光线入口的上方；以及一透镜，设置在彩色滤光片的上方，并与光线通路对正，其中，所述至少一条导电互连线包括一铜互连线结构，导电互连线具有叠层构造的多个层间介质层，并在相邻的层间介质层之间设置有一扩散阻挡层，以及在铜互连结构与所述多个层间介质层之间设置一阻挡金属层，铜互连线结构穿插扩散阻挡层。如果将光电二极管上方的阻挡金属层去除，则图像传感器件可采用铜互连线。