公开(公告)号：CN100578779C

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200710005972.X

申请日：2007-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朱耿嬉 ,  吕寅硕

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/488 ,  H01M6/00

CPC classification number: H01L23/3128 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/58 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4826 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 引入大容量微电池的伪非易失性存储器件的实施例，包括具有键合焊盘的DRAM。该DRAM芯片可以被连接到框架。该框架可以具有对应于每个键合焊盘的外部连接端子。用于将该键合焊盘电连接到外部连接端子的布线。键合焊盘和布线可以用密封剂覆盖。在DRAM芯片之上可以设置微电池。该微电池可以提供电源到DRAM芯片。

公开(公告)号：CN101312216A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200810142821.3

申请日：2008-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁俊圭 ,  白升宰 ,  卢镇台 ,  林升炫 ,  朱耿嬉 ,  霍宗亮

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/42332 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 揭露了一种包括一混合结构电荷捕获层的闪存器件及其相关制造方法。所述电荷捕获层包括至少一个混合捕获层，混合捕获层包括一由具有第一带隙能量的第一材料制成的第一捕获层，以及多个彼此分离的纳米点，每个纳米点至少部分的被所述第一捕获层包围，所述多个纳米点由具有第二带隙能量的第二材料形成，第二带隙能量低于所述第一带隙能量。

公开(公告)号：CN101026147A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710005972.X

申请日：2007-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朱耿嬉 ,  吕寅硕

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/488 ,  H01M6/00

CPC classification number: H01L23/3128 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/58 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4826 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 引入大容量微电池的伪非易失性存储器件的实施例，包括具有键合焊盘的DRAM。该DRAM芯片可以被连接到框架。该框架可以具有对应于每个键合焊盘的外部连接端子。用于将该键合焊盘电连接到外部连接端子的布线。键合焊盘和布线可以用密封剂覆盖。在DRAM芯片之上可以设置微电池。该微电池可以提供电源到DRAM芯片。