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公开(公告)号：CN101299440A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810086977.4
申请日：2008-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66439 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , H01L21/02365 , H01L21/02601 , H01L29/0665 , H01L29/0669 , H01L29/0673 , H01L29/1033 , H01L29/66742 , H01L29/7839 , H01L29/78684 , H01L29/78696 , H01L51/426 , H01L2221/1094
Abstract: 本发明提供了一种具有至少一个Ge纳米棒的场效应晶体管以及场效应晶体管的制造方法。该场效应晶体管可以包括：栅极氧化物层，形成在硅基底上；至少一个Ge纳米棒，埋入在栅极氧化物层中，其中，Ge纳米棒的两端被暴露；源电极和漏电极，连接到至少一个Ge纳米棒的相对侧；栅电极，在源电极和漏电极之间形成在栅极氧化物层上。
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公开(公告)号：CN1822280A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200510113376.4
申请日：2005-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01J9/025
Abstract: 提供了通过在真空室内部使电弧撞击晶片表面来制造发射器的方法和设备。所述设备包括：其中插入晶片的真空室；用于在所述真空室内部产生均匀磁场的磁场产生单元；用于在真空室内部形成与所述磁场平行的电场的电场产生单元；用于朝向晶片发射电子的主发射器。由主发射器发射的电子沿所述电场和磁场移动。控制所述电场的强度和主发射器的驱动电压，当所述电场或驱动电压超过阈值时产生电弧。由此，晶片的表面被电弧瞬时熔化并固化，由此在晶片的表面上形成具有尖锐尖端的发射器。
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公开(公告)号：CN1269187C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200310102435.9
申请日：2003-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , H01J1/00 , H01J37/00
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3175 , H01J2237/06358 , H01J2237/31781
Abstract: 本发明公开了一种利用二次电子的电子投影光刻装置。该装置包括：二次电子发射器，它与基板固定器间隔预定距离，在该二次电子发射器的朝向基板固定器的表面上形成已构图的掩模；一次电子发射器，它在二次电子发射器背对基板固定器的方向上与二次电子发射器间隔预定距离，并向二次电子发射器发射一次电子；第二电源，它在基板固定器和二次电子发射器之间施加预定电压；第一电源，它在二次电子发射器和一次电子发射器之间施加预定电压；和磁场发生器，它控制由二次电子发射器发射的二次电子的路径。
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公开(公告)号：CN1248289C
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN02127324.3
申请日：2002-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 尤里·N·托尔马切夫 , 马东俊 , 文昌郁 , 尹惠荣
IPC: H01L21/205 , H01J37/00 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/32357
Abstract: 提供一种感应耦合式等离子体装置，此感应耦合式等离子体装置包括一处理腔室、一顶部等离子体源腔室、一反应器、一感应器、一开孔和一挡板。处理腔室具有一晶片基座，上面装设一基底。顶部等离子体源腔室装设在处理腔室。反应器装设在顶部等离子体源腔室之中；具有一通道，一种气体流经此通道；以及把等离子体各反应产物供给处理腔室。感应器装设在顶部等离子体源腔室与反应器之间并缠绕反应器。开孔设置在其中装设感应器的、反应器周边空间与处理腔室之间。挡板可开启和关闭开孔。因而，可以改进发自一等离子体源的各种自由基的均匀径向分布。
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公开(公告)号：CN101030623B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610137442.6
申请日：2006-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/115 , G11C2213/56 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供了一种采用两个氧化物层的非易失性存储器件。所述非易失性存储器件包括可变电阻材料，还包括：下部电极；形成于所述下部电极上的，由氧化状态可以改变的氧化物形成的第一氧化物层；形成于所述第一氧化物层上的第二氧化物层；以及形成于所述第二氧化物层上的上部电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100369195C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN03159791.2
申请日：2003-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/30 , G03F7/00
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J9/022 , H01J9/027 , H01J2237/31774 , H01J2237/31783
Abstract: 本发明提供了用于电子束投影式光刻系统的发射器和其制造方法。该电子束发射器包括一基板，一覆盖在基板上的绝缘层，及一门电极，它包括一以均匀厚度形成在所述绝缘层上的基层和一以预定图案在所述基层上形成的电子束阻挡层。一种制造方法包括以下步骤：准备基板；在所述基板上形成绝缘层；以预定厚度在所述绝缘层上淀积导电金属而形成一所述门电极的基层；以预定厚度在所述基层淀积能够阳极化的金属而形成一所述门电极的电子束阻挡层；及通过刻蚀在所述电子束阻挡层上刻蚀出预定的图案。所述发射器能够提供均匀电场并提供简化的制造方法。
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公开(公告)号：CN101030623A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200610137442.6
申请日：2006-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/115 , G11C2213/56 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供了一种采用两个氧化物层的非易失性存储器件。所述非易失性存储器件包括可变电阻材料，还包括：下部电极；形成于所述下部电极上的，由氧化状态可以改变的氧化物形成的第一氧化物层；形成于所述第一氧化物层上的第二氧化物层；以及形成于所述第二氧化物层上的上部电极。
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公开(公告)号：CN1976039A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610136072.4
申请日：2006-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , G11C16/02
CPC classification number: H01L27/115 , B82Y10/00 , G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/35 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及一种包括具有金属－绝缘体－金属(MIM)结构的存储节点的非易失性存储器及其操作方法。该存储器包括开关元件和连接到该开关元件的存储节点。该存储节点包括顺序堆叠的第一金属层、第一绝缘层和第二金属层，以及纳米结构层。该存储节点还可包括第二绝缘层和第三金属层，且作为碳纳米结构层的所述纳米结构层可包括至少一个富勒烯层。
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公开(公告)号：CN1426090A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN02127324.3
申请日：2002-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 尤里·N·托尔马加夫 , 马东俊 , 文昌郁 , 尹惠荣
IPC: H01L21/205 , H01J37/00 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/32357
Abstract: 提供一种感应耦合式等离子体装置，此感应耦合式等离子体装置包括一处理腔室、一顶部等离子体源腔室、一反应器、一感应器、一开孔和一挡板。处理腔室具有一晶片基座，上面装设一基底。顶部等离子体源腔室装设在处理腔室。反应器装设在顶部等离子体源腔室之中；具有一通道，一种气体流经此通道；以及把等离子体各反应产物供给处理腔室。感应器装设在顶部等离子体源腔室与反应器之间并缠绕反应器。开孔设置在其中装设感应器的、反应器周边空间与处理腔室之间。挡板可开启和关闭开孔。因而，可以改进发自一等离子体源的各种自由基的均匀径向分布。
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公开(公告)号：CN101026177B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200610136107.4
申请日：2006-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/12 , B82Y10/00 , G11C11/56 , G11C13/0002 , G11C13/025 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供了一种非易失性存储器件以及操作所述非易失性存储器件的方法。该非易失性存储器件包括开关器件和连接至所述开关器件的存储节点，其中，所述存储节点包括：连接至所述开关器件的下部金属层；依次叠置于所述下部金属层上的第一绝缘层、中间金属层、第二绝缘层、上部金属层和纳米层。
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