公开(公告)号：CN118506838A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202311536920.0

申请日：2023-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐永周 ,  徐荣德 ,  文相权 ,  吴玄教 ,  吴熙泰 ,  李熙元 ,  金志守

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/04 ,  G11C16/16

Abstract: 公开了用于非易失性存储器装置的存储控制器的操作方法。所述被配置为控制非易失性存储器装置的存储控制器的操作方法包括：启动包括在非易失性存储器装置中的相应存储器块的相应可靠性操作的第一实例，相应可靠性操作包括检测相应存储器块的劣化水平并且基于检测到的劣化水平来设置相应跳过参考值；确定相应可靠性操作的连续跳过实例的相应数量是否小于设置的相应跳过参考值；以及基于确定结果，选择性地跳过或执行相应可靠性操作的下一实例。

公开(公告)号：CN117672311A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202310548292.1

申请日：2023-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晋永 ,  姜宇现 ,  徐永周 ,  吴玄教 ,  李熙元 ,  林东厚 ,  郑珍久

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/26 ,  G11C16/30 ,  G11C16/34 ,  G11C16/14

Abstract: 公开存储装置和操作其的方法，所述存储装置包括存储控制器和非易失性存储器装置。所述方法包括：提供第一请求，第一请求指示非易失性存储器装置的目标存储器块的字线顺序读取操作；基于第一请求，提供第一字线读取数据，第一字线读取数据与目标存储器块的第一字线的存储器单元对应；基于第一请求，提供第二字线读取数据，第二字线读取数据与目标存储器块的第二字线的存储器单元对应，第二字线与第一字线邻近；基于第一字线读取数据和第二字线读取数据计算第一字线间隙值；以及基于第一字线间隙值执行目标存储器块的第一可靠性操作。