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公开(公告)号：CN118540956A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202311501657.1
申请日：2023-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B80/00 , G06F13/16 , G11C16/08 , G11C16/30 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C29/42 , G11C29/44 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 提供了存储装置、非易失性存储器封装件及其制造方法。所述非易失性存储器封装件包括：被配置为堆叠的第一非易失性存储器件；被配置为堆叠的第二非易失性存储器件；以及接口芯片，其通过接合通道连接到外部装置，通过第一接合通道连接到一个所述第一非易失性存储器件，并且通过第二接合通道连接到一个所述第二非易失性存储器件，其中，所述接口芯片包括：连接到所述接合通道的输入/输出焊盘；连接到所述第一接合通道的第一输入/输出焊盘；以及连接到所述第二接合通道的第二输入/输出焊盘，其中，所述第一输入/输出焊盘和所述第二输入/输出焊盘针对每个通道交替地布置，用于跨通道屏蔽。
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公开(公告)号：CN117596899A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311006865.4
申请日：2023-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体封装，其中缓冲器芯片被引线键合到存储器管芯。该半导体封装包括半导体管芯堆叠、连接到第一组半导体管芯的第一组引线键合、连接到第二组半导体管芯的第二组引线键合、以及缓冲器芯片。第二组半导体管芯在第一组半导体管芯上。缓冲器芯片包括靠近半导体管芯堆叠的第一组管芯键合焊盘以及远离半导体管芯堆叠的第二组管芯键合焊盘。第二组引线键合延伸以连接到缓冲器芯片的第一组管芯键合焊盘，并且第一组引线键合延伸以连接到缓冲器芯片的第二组管芯键合焊盘。
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公开(公告)号：CN119725282A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411334294.1
申请日：2024-09-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/49 , H01L23/498 , H10B80/00
Abstract: 半导体封装包括：封装衬底，具有多个衬底焊盘；芯片堆叠，包括多个半导体芯片，每个芯片具有沿着上表面的一个边缘布置的多个芯片焊盘；以及焊盘延伸部，从多个芯片焊盘延伸到该一个边缘的相邻侧表面。半导体芯片被堆叠，使得相邻侧表面具有共面表面。设置有绝缘膜和多条导线的多通道膜将多个半导体芯片的芯片焊盘连接到多个衬底焊盘。
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公开(公告)号：CN118712192A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410189771.3
申请日：2024-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据本发明构思的实施例的半导体装置包括：第一电源焊盘，其被配置为接收第一电源电压；第二电源焊盘，其被配置为接收第二电源电压，第二电源电压具有比第一电源电压的电平低的电平；信号焊盘，其被配置为交换信号；以及第一静电放电(ESD)二极管，其包括第一杂质区域和第二杂质区域，第一杂质区域掺杂有第一导电类型的杂质并且连接到第一电源焊盘，第二杂质区域掺杂有与第一导电类型不同的第二导电类型的杂质并且连接到信号焊盘，其中，第一杂质区域和第二杂质区域中的至少一个的下表面具有不平坦结构。
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公开(公告)号：CN118248200A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202311741759.0
申请日：2023-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种装置、一种从装置输入和输出数据的方法和一种系统。装置包括输入/输出电路，其中，所述输入/输出电路包括：控制电路，其被配置为接收指示所述装置是否被激活的信号；可变电压源，其被配置为基于由控制电路接收的信号根据控制电路的控制操作来产生可变电压；输出驱动器，其包括第一晶体管和第二晶体管；以及焊盘，其被配置为输出由输出驱动器产生的电流，并且其中，可变电压源被配置为向第一晶体管的主体和第二晶体管的主体提供可变电压。
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