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公开(公告)号：CN115223934A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210016194.9
申请日：2022-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体器件包括：有源图案，均从衬底突出并且沿与衬底的上表面基本上平行的第一方向延伸；隔离图案，设置在衬底上并且覆盖每个有源图案的下侧壁；栅极结构，在有源图案和隔离图案上沿第二方向延伸，其中，第二方向与衬底的上表面基本上平行并且与第一方向交叉；以及分离图案，设置在隔离图案上，其中，分离图案接触栅极结构的在第二方向上的端部。栅极结构包括顺序地堆叠的栅极绝缘图案、栅极阻挡物和栅电极。栅极绝缘图案和栅极阻挡物不形成在分离图案的侧壁上，并且栅电极接触分离图案的侧壁。栅极绝缘图案、栅极阻挡物和栅电极顺序地堆叠在隔离图案的与分离图案的侧壁相邻的部分的上表面上，并且栅极绝缘图案接触隔离图案的部分的上表面。
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