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发明公开
半导体器件审中-实审

公开(公告)号：CN116469922A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310091806.5

申请日：2023-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申洪湜 , 徐政延 , 康诚右 , 金东权

IPC: H01L29/423 , H01L29/417 , H01L27/088 , H01L23/538

Abstract: 可以提供半导体器件，其包括：有源图案，在基板上并在第一方向上延伸；在有源图案上的栅极结构，包括在不同于第一方向的第二方向上延伸的栅电极；在栅极结构的至少一侧的源极/漏极图案；以及在源极/漏极图案上并且连接到源极/漏极图案的源极/漏极接触，其中相对于有源图案的上表面，栅电极的上表面的高度与源极/漏极接触的上表面的高度相同，并且源极/漏极接触包括下源极/漏极接触和在下源极/漏极接触上的上源极/漏极接触。

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