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公开(公告)号:CN108695355B
公开(公告)日:2023-03-10
申请号:CN201810234077.3
申请日:2018-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光装置包括:多个发光单元,其包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间的有源层;绝缘层,其位于所述多个发光单元上,并且在所述多个发光单元中的每一个中,绝缘层具有第一开口和第二开口,所述第一开口和第二开口分别限定第一导电类型半导体层的第一接触区和第二导电类型半导体层的第二接触区;连接电极,其位于绝缘层上,并且将第一接触区与第二接触区连接,以将所述多个发光单元彼此电连接;透明支承衬底,其位于绝缘层和连接电极上;以及透明键合层,其位于绝缘层与透明支承衬底之间。
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公开(公告)号:CN110993634A
公开(公告)日:2020-04-10
申请号:CN201910643479.3
申请日:2019-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光器件包括:多个发光结构;隔离层,其覆盖多个发光结构的侧表面并将多个发光结构彼此绝缘;分隔层,其形成在隔离层上;第一保护层,其覆盖多个发光结构的顶表面和分隔层的侧壁;反射层,其覆盖第一保护层并设置在分隔层的侧壁上;以及第二保护层,其覆盖反射层。
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公开(公告)号:CN108231820A
公开(公告)日:2018-06-29
申请号:CN201711267205.6
申请日:2017-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供一种发光二极管(LED)装置,包括:多个彼此间隔开的发光结构;多个电极层,其分别在多个发光结构的第一表面上;保护层,其分别在多个发光结构中的每一个的第二表面上;分离层,其使多个发光结构彼此电绝缘,并且使所述多个电极层彼此电绝缘;多个荧光体层,其分别在多个发光结构的第二表面上,所述多个荧光体层中的每一个各自输出不同颜色的光;以及分隔层,其在荧光体层之间并将多个荧光体层彼此分离,分隔层包括衬底结构、绝缘结构或金属结构。
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公开(公告)号:CN105280761B
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201510266211.4
申请日:2015-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/007 , H01L33/08 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供了一种用于制造半导体发光器件的方法,该方法可包括步骤:形成具有暴露出基本层的一些部分的多个开口的掩模层和模型层;形成多个第一导电类型的半导体芯,每个第一导电类型的半导体芯包括从基本层延伸穿过每个开口的主体部分和设置在主体部分上并具有圆锥形状的末端部分;以及在所述多个第一导电类型的半导体芯中的每一个上形成有源层和第二导电类型的半导体层。形成所述多个第一导电类型的半导体芯的步骤可包括步骤:形成第一区域,以使得末端部分的顶点位于主体部分的中心竖直轴线上;去除模型层;以及在第一区域上形成额外生长区域,以使得主体部分具有六棱柱形状。
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公开(公告)号:CN109920813B
公开(公告)日:2024-06-21
申请号:CN201811206670.3
申请日:2018-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造发光器件封装的方法,包括:形成单元阵列,该单元阵列包括半导体发光器以及分离区域,该半导体发光器包括衬底上的第一导电型半导体层和第二导电型半导体层以及有源层,该单元阵列具有与衬底接触的第一表面;通过去除衬底来暴露出分离区域的第一表面;在分离区域中的第一表面上形成晶种层;在发光器上形成光致抗蚀剂图案,使得光致抗蚀剂图案暴露出晶种层;通过镀覆光致抗蚀剂图案暴露出的区域来形成分隔结构,该分隔结构分离发光器;通过去除光致抗蚀剂图案来形成分隔结构的发光窗口,使得发光器在发光窗口的下端处暴露出来;以及通过用波长转换材料填充发光窗口来形成波长转换器。
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公开(公告)号:CN117423718A
公开(公告)日:2024-01-19
申请号:CN202310865016.8
申请日:2023-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种显示设备包括:电路板,其包括驱动电路;以及像素阵列,其设置在电路板上并包括像素,像素中的每一个具有多个子像素。像素阵列包括:半导体堆叠件、导电分隔结构和波长转换部分。半导体堆叠件包括分别构成多个子像素的LED单元。LED单元中的每一个至少包括有源层和第二导电类型半导体层。导电分隔结构设置在位于半导体堆叠件上的分别与LED单元重叠的子像素空间之间,并被设置为第一电极。波长转换部分分别设置在子像素空间上。
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公开(公告)号:CN109920813A
公开(公告)日:2019-06-21
申请号:CN201811206670.3
申请日:2018-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造发光器件封装的方法,包括:形成单元阵列,该单元阵列包括半导体发光器以及分离区域,该半导体发光器包括衬底上的第一导电型半导体层和第二导电型半导体层以及有源层,该单元阵列具有与衬底接触的第一表面;通过去除衬底来暴露出分离区域的第一表面;在分离区域中的第一表面上形成晶种层;在发光器上形成光致抗蚀剂图案,使得光致抗蚀剂图案暴露出晶种层;通过镀覆光致抗蚀剂图案暴露出的区域来形成分隔结构,该分隔结构分离发光器;通过去除光致抗蚀剂图案来形成分隔结构的发光窗口,使得发光器在发光窗口的下端处暴露出来;以及通过用波长转换材料填充发光窗口来形成波长转换器。
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公开(公告)号:CN108695355A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201810234077.3
申请日:2018-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/153 , H01L25/0753 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/507 , H01L33/62 , H01L27/156 , F21K9/232 , F21V19/001 , F21Y2115/10
Abstract: 一种半导体发光装置包括:多个发光单元,其包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间的有源层;绝缘层,其位于所述多个发光单元上,并且在所述多个发光单元中的每一个中,绝缘层具有第一开口和第二开口,所述第一开口和第二开口分别限定第一导电类型半导体层的第一接触区和第二导电类型半导体层的第二接触区;连接电极,其位于绝缘层上,并且将第一接触区与第二接触区连接,以将所述多个发光单元彼此电连接;透明支承衬底,其位于绝缘层和连接电极上;以及透明键合层,其位于绝缘层与透明支承衬底之间。
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公开(公告)号:CN107731861A
公开(公告)日:2018-02-23
申请号:CN201710684847.X
申请日:2017-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/156 , H01L33/50 , H01L33/60
Abstract: 本发明提供发光装置封装件和显示装置。发光装置封装件包括:具有多个发光窗口的用于生长的衬底;多个半导体发光单元,其对应于多个发光窗口,每个半导体发光单元具有与用于生长的衬底接触的第一表面和与第一表面相对的第二表面,并且每个半导体发光单元具有彼此堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层;多个波长转换单元,其分别布置在多个发光窗口内,每个波长转换单元被构造为提供与对应的半导体发光单元发射的光波长不同的光;金属支承层,其布置在多个半导体发光单元中的每一个的至少一个表面上,并且具有与用于生长的衬底的侧表面共面的侧表面;和绝缘层,其布置在多个半导体发光单元中的每一个与对应的金属支承层之间。
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公开(公告)号:CN117410303A
公开(公告)日:2024-01-16
申请号:CN202310864826.1
申请日:2023-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种显示设备,包括:电路衬底,其包括驱动器电路和第一接合电极;以及像素阵列,其在电路衬底上并且包括各自包括第一子像素至第三子像素的多个像素和接合至第一接合电极的第二接合电极,像素阵列还包括:多个第一LED单元,其分别对应于第一子像素和第三子像素,并且各自包括第一导电类型半导体层、第一有源层和第二导电类型半导体层;多个第二LED单元,其分别对应于第二子像素,并且各自包括第一导电类型半导体层、第二有源层和第二导电类型半导体层;第一电极,其延伸以覆盖多个第一LED单元和多个第二LED单元的上表面并且共同连接至第一导电类型半导体层。
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