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公开(公告)号:CN101286445B
公开(公告)日:2011-07-06
申请号:CN200810092186.2
申请日:2008-04-10
CPC classification number: H01L21/68707 , C03C15/00 , G02F1/1303 , H01L21/6708
Abstract: 本发明公开了一种平板显示器的玻璃基底的蚀刻设备和一种蚀刻平板显示器的玻璃基底的方法,该蚀刻设备包括:蚀刻室,被构造成容纳夹具;玻璃基底,设置在夹具上;夹持构件,连接到夹具,以夹持玻璃基底;传送线,连接到夹具,以将夹具传送到蚀刻室中;喷射构件,将蚀刻剂喷射到玻璃基底的表面上。蚀刻剂的喷射压强等于或大于大致0.1kg/cm2,且小于大致0.5kg/cm2。
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公开(公告)号:CN1901208A
公开(公告)日:2007-01-24
申请号:CN200610121249.3
申请日:2006-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/49 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种通过降低接触电阻并消除底切而显示出提高了的显示质量的LCD显示装置的基板。显示开关器件具有三个电极,它们中的至少一个具有三个金属层,第三金属层通过氮化第二金属层而形成。像素电极通过接触孔与第二金属层电连接,接触孔穿过绝缘层与开关器件的第二金属层而形成。
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公开(公告)号:CN102097369A
公开(公告)日:2011-06-15
申请号:CN201010546290.1
申请日:2006-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/77 , H01L29/45 , H01L29/49 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/1368 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: 本发明涉及一种通过降低接触电阻并消除底切而显示出提高了的显示质量的LCD显示装置的基板。显示开关器件具有三个电极,它们中的至少一个具有三个金属层,第三金属层通过氮化第二金属层而形成。像素电极通过接触孔与第二金属层电连接,接触孔穿过绝缘层与开关器件的第二金属层而形成。
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公开(公告)号:CN101266916B
公开(公告)日:2010-09-22
申请号:CN200710186169.0
申请日:2007-07-20
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L21/67712 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/67718 , H01L21/67721 , H01L21/6776
Abstract: 一种基板处理装置包括处理腔、固定框架、进料单元和供给单元。基板安装在固定框架上,供给单元从基板的各个侧面间隔分开以向基板供给处理流体,以及进料单元向与基板纵向平行的方向传送固定框架。自动进行处理可减少基板损耗和对基板进行有效处理。
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公开(公告)号:CN101114122A
公开(公告)日:2008-01-30
申请号:CN200710138606.1
申请日:2007-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/00 , G02F1/1333 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/30604 , H01L21/67086
Abstract: 本发明提供一种蚀刻装置和蚀刻方法,其中施加在基板上的压力被最小化,且基板的整个表面在蚀刻工艺期间被均匀地施压。基板的破损被防止,且基板被均匀地蚀刻。因此,基板的厚度可被减小。
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公开(公告)号:CN1901208B
公开(公告)日:2012-10-24
申请号:CN200610121249.3
申请日:2006-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/49 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种通过降低接触电阻并消除底切而显示出提高了的显示质量的LCD显示装置的基板。显示开关器件具有三个电极,它们中的至少一个具有三个金属层,第三金属层通过氮化第二金属层而形成。像素电极通过接触孔与第二金属层电连接,接触孔穿过绝缘层与开关器件的第二金属层而形成。
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公开(公告)号:CN101286445A
公开(公告)日:2008-10-15
申请号:CN200810092186.2
申请日:2008-04-10
CPC classification number: H01L21/68707 , C03C15/00 , G02F1/1303 , H01L21/6708
Abstract: 本发明公开了一种平板显示器的玻璃基底的蚀刻设备和一种蚀刻平板显示器的玻璃基底的方法,该蚀刻设备包括:蚀刻室,被构造成容纳夹具;玻璃基底,设置在夹具上;夹持构件,连接到夹具,以夹持玻璃基底;传送线,连接到夹具,以将夹具传送到蚀刻室中;喷射构件,将蚀刻剂喷射到玻璃基底的表面上。蚀刻剂的喷射压强等于或大于大致0.1kg/cm2,且小于大致0.5kg/cm2。
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公开(公告)号:CN101266916A
公开(公告)日:2008-09-17
申请号:CN200710186169.0
申请日:2007-07-20
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L21/67712 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/67718 , H01L21/67721 , H01L21/6776
Abstract: 一种基板处理装置包括处理腔、固定框架、进料单元和供给单元。基板安装在固定框架上,供给单元从基板的各个侧面间隔分开以向基板供给处理流体,以及进料单元向与基板纵向平行的方向传送固定框架。自动进行处理可减少基板损耗和对基板进行有效处理。
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公开(公告)号:CN101140374A
公开(公告)日:2008-03-12
申请号:CN200710141809.6
申请日:2007-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1333 , C03C15/00
Abstract: 本发明提供可以均匀地蚀刻玻璃基板的蚀刻液供应装置、蚀刻装置以及蚀刻方法。本发明所提供的蚀刻液供应装置,用于向在蚀刻槽中蚀刻玻璃基板的蚀刻装置供应由包含水、氢氟酸以及无机酸的多种成分组成的蚀刻液,并具有:蚀刻液容器,用于回收蚀刻槽中使用过的蚀刻液;蚀刻液移送部,用于将蚀刻液容器的蚀刻液供应到蚀刻槽;浓度测定单元,用于测定蚀刻液容器中蚀刻液组成成分的至少一部分可控组成成分浓度;组成成分供应部,用于将可控组成成分分别供应到蚀刻液容器;控制部,用于根据浓度测定单元的测定结果控制组成成分供应部供应可控组成成分。
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公开(公告)号:CN1901169A
公开(公告)日:2007-01-24
申请号:CN200610106018.5
申请日:2006-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/84 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/124
Abstract: 一种制造TFT基板的方法,包括:在绝缘基板上形成栅极金属层;在栅极金属层上形成光敏层图案;使用光敏层图案;通过蚀刻栅极金属层来形成栅极布线;通过剥去光敏层图案来暴露栅极布线;以及使用包含硝酸的清洗剂来清洗暴露的栅极布线。因而,本发明提供了一种制造TFT基板的方法,该方法通过有效地去除微粒,提高了薄金属层的质量。
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