蚀刻液供应装置、蚀刻装置及蚀刻方法

    公开(公告)号:CN101140374A

    公开(公告)日:2008-03-12

    申请号:CN200710141809.6

    申请日:2007-08-13

    Abstract: 本发明提供可以均匀地蚀刻玻璃基板的蚀刻液供应装置、蚀刻装置以及蚀刻方法。本发明所提供的蚀刻液供应装置,用于向在蚀刻槽中蚀刻玻璃基板的蚀刻装置供应由包含水、氢氟酸以及无机酸的多种成分组成的蚀刻液,并具有:蚀刻液容器,用于回收蚀刻槽中使用过的蚀刻液;蚀刻液移送部,用于将蚀刻液容器的蚀刻液供应到蚀刻槽;浓度测定单元,用于测定蚀刻液容器中蚀刻液组成成分的至少一部分可控组成成分浓度;组成成分供应部,用于将可控组成成分分别供应到蚀刻液容器;控制部,用于根据浓度测定单元的测定结果控制组成成分供应部供应可控组成成分。

    制造薄膜晶体管基板的方法

    公开(公告)号:CN1901169A

    公开(公告)日:2007-01-24

    申请号:CN200610106018.5

    申请日:2006-07-19

    CPC classification number: H01L27/124

    Abstract: 一种制造TFT基板的方法,包括:在绝缘基板上形成栅极金属层;在栅极金属层上形成光敏层图案;使用光敏层图案;通过蚀刻栅极金属层来形成栅极布线;通过剥去光敏层图案来暴露栅极布线;以及使用包含硝酸的清洗剂来清洗暴露的栅极布线。因而,本发明提供了一种制造TFT基板的方法,该方法通过有效地去除微粒,提高了薄金属层的质量。

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