公开(公告)号：CN109671462A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201810863665.3

申请日：2018-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金灿河 ,  康淑恩 ,  金志秀 ,  卢承京 ,  李东起 ,  李允宑 ,  李镇旭 ,  李熙元 ,  张俊锡 ,  崔永夏

IPC: G11C16/26

CPC classification number: G11C16/10 ,  G06K9/6223 ,  G06K9/6226 ,  G11C5/063 ,  G11C8/12 ,  G11C16/08 ,  G11C16/3445 ,  G11C16/3459 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/50004 ,  G11C16/26

Abstract: 一种包括控制器的存储设备的操作方法：从非易失性存储器接收读取数据；基于接收到的读取数据测量分别对应于非易失性存储器的多个存储单元块的多个阈值电压分布；基于所测量的多个阈值电压分布来测量多个存储单元块之间的分布变化；基于所测量的分布变化来动态地确定用于非易失性存储器的操作参数；以及向非易失性存储器发送操作命令、地址和与该地址相对应的至少一个操作参数。

公开(公告)号：CN116386699A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202211722035.7

申请日：2022-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐准浩 ,  孙溶完 ,  李度暻 ,  崔永夏

IPC: G11C16/14 ,  G11C16/08 ,  G11C16/24 ,  G11C16/34

Abstract: 所公开的是存储器设备的操作方法，其中，存储器设备包括存储器块，存储器块包括在垂直于衬底的方向上堆叠的多个单元晶体管。多个单元晶体管可以包括接地选择晶体管和擦除控制晶体管。擦除控制晶体管可以位于衬底和接地选择晶体管之间。操作方法可以包括：对接地选择晶体管执行第一擦除操作；在第一擦除操作之后，对擦除控制晶体管执行第一编程操作；在第一编程操作之后，对接地选择晶体管执行第二编程操作；以及，在第二编程操作之后，对擦除控制晶体管执行第二擦除操作。

公开(公告)号：CN109671462B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201810863665.3

申请日：2018-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金灿河 ,  康淑恩 ,  金志秀 ,  卢承京 ,  李东起 ,  李允宑 ,  李镇旭 ,  李熙元 ,  张俊锡 ,  崔永夏

IPC: G11C16/26

Abstract: 一种包括控制器的存储设备的操作方法：从非易失性存储器接收读取数据；基于接收到的读取数据测量分别对应于非易失性存储器的多个存储单元块的多个阈值电压分布；基于所测量的多个阈值电压分布来测量多个存储单元块之间的分布变化；基于所测量的分布变化来动态地确定用于非易失性存储器的操作参数；以及向非易失性存储器发送操作命令、地址和与该地址相对应的至少一个操作参数。