公开(公告)号：CN1030021C

公开(公告)日：1995-10-11

申请号：CN90104393.1

申请日：1990-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晟泰 ,  崔寿汉

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/00 ,  H01L21/02 ,  H01G4/40

CPC classification number: H01L27/10835

Abstract: 一种在半导体基片中形成沟槽制作叠层一沟槽并合型电容的方法。一层作第一电极用的导电层，一层介电膜以及作第二电极用的另一层导电层，依次连续地淀积在沟槽内。然后，蚀刻两层导电层和介于其间的介电膜，以形成电容图形。沿电容图形的侧壁形成一绝缘层，再在整个结构上形成一层第三导电层。

公开(公告)号：CN1039559C

公开(公告)日：1998-08-19

申请号：CN90103246.8

申请日：1990-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晟泰 ,  崔寿汉

IPC: H01G4/08 ,  H01G4/30 ,  H01L27/108 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L27/1085 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185 ,  H01L27/115 ,  H01L28/40 ,  H01L29/511 ,  H01L29/94

Abstract: 一种半导体装置和它的制造方法。这个半导体装置包括：一个第一导电层、在第一导电层上组成的氧化层、在氧化层上组成一个多子层形式的氮化物层，又在多子层的氮化物层上还有一层氧化物层，最后是在前面n步所得到的结构上形成第二导电层。由于多子层的氮化物层的独一无二特性，按照本发明的半导体装置的电气性能就被改善了。同时按照本发明的多子层结构的氮化物层可以广泛地应用到很多半导体器件上。

公开(公告)号：CN1030631C

公开(公告)日：1996-01-03

申请号：CN90109275.4

申请日：1990-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晟泰 ,  金景勋 ,  高在弘 ,  崔寿汉

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/10817 ,  H01L27/10835

Abstract: 一种高度集成半导体存储器件，包括多个在横向和纵向交替地淀积了堆垛型电容器和组合堆垛-沟道型电容器构成的存储单元。存储单元电容器的第一存储电极延伸覆盖相邻存储单元的电容器的存储电极。在衬底上形成组合堆垛-沟道电容器来增加存储电容量，它允许堆垛型电容器的存储电极延伸以便增大存储电容量。由于堆垛-沟道型电容器和堆垛型电容器的交替安置，防止了堆垛-沟道型电容器的台阶覆盖、漏电流和软误差。

公开(公告)号：CN1059050A

公开(公告)日：1992-02-26

申请号：CN90109275.4

申请日：1990-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晟泰 ,  金景勋 ,  高在弘 ,  崔寿汉

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/10817 ,  H01L27/10835

Abstract: 一种高度集成半导体存储器件，包括多个在横向和纵向交替地淀积了堆垛型电容器和组合堆垛一沟道型电容器构成的存储单元。存储单元电容器的第一存储电极延伸覆盖相邻存储单元的电容器的存储电极。在衬底上形成组合堆垛—沟道电容器来增加存储电容量，它允许堆垛型电容器的存储电极延伸以便增大存储电容量。由于堆垛—沟道型电容器和堆垛型电容器的交替安置，防止了堆垛—沟道型电容器的台阶覆盖、漏电流和软误差。

公开(公告)号：CN1052006A

公开(公告)日：1991-06-05

申请号：CN90104393.1

申请日：1990-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晟泰 ,  崔寿汉

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/00 ,  H01L21/02 ,  H01G4/40

CPC classification number: H01L27/10835

Abstract: 一种在半导体基片中形成沟槽制作叠层-沟槽并合型电容的方法。一层作第一电极用的导电层，一层介电膜以及作第二电极用的另一层导电层，依次连续地淀积在沟槽内。然后，蚀刻两层导电层和介于其间的介电膜，以形成电容图形。沿电容图形的侧壁形成一绝缘层，再在整个结构上形成一层第三导电层。

公开(公告)号：CN1051637A

公开(公告)日：1991-05-22

申请号：CN90103246.8

申请日：1990-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晟泰 ,  崔寿汉

IPC: H01G4/08 ,  H01G4/30 ,  H01L27/108 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L27/1085 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185 ,  H01L27/115 ,  H01L28/40 ,  H01L29/511 ,  H01L29/94

Abstract: 一种半导体装置和它的制造方法。这个半导体装置包括：一个第一导电层、在第一导电层上组成的氧化层、在氧化层上组成一个多子层形式的氮化物层，又在多子层的氮化物层上还有一层氧化物层，最后是在前面n步所得到的结构上形成第二导电层。由于多子层的氮化物层的独一无二特性，按照本发明的半导体装置的电气性能就被改善了。同时按照本发明的多子层结构的氮化物层可以广泛地应用到很多半导体器件上。