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    制造半导体芯片的方法
    2.
    发明公开
    制造半导体芯片的方法 审中-公开

    公开(公告)号：CN110890325A

    公开(公告)日：2020-03-17

    申请号：CN201910726168.3

    申请日：2019-08-07

    Applicant: 三星电子株式会社

    Inventor： 裴秉文 ,  金润圣 ,  金尹熙 ,  沈贤洙 ,  尹俊浩 ,  崔仲浩

    IPC: H01L21/78 ,  H01L23/00 ,  B23K26/38 ,  B23K26/08 ,  B23K26/70 ,  B23K101/40

    Abstract: 提供了制造半导体芯片的方法。所述方法可以包括提供包括集成电路区域和切割区域的半导体衬底。所述切割区域可以在所述集成电路区域之间。所述方法还可以包括通过沿着所述切割区域将激光束发射到所述半导体衬底中来形成改性层，抛光所述半导体衬底的无源表面以使裂缝从改性层传播，以及沿着所述裂缝分离集成电路区域。所述切割区域可以包括在所述半导体衬底的有源表面上的多个多层金属图案，半导体衬底的有源表面与半导体衬底的无源表面相对。当在横截面中观察时，所述多个多层金属图案可以形成金字塔结构。

    半导体装置和包含该半导体装置的半导体封装件
    3.
    发明公开
    半导体装置和包含该半导体装置的半导体封装件 审中-公开

    公开(公告)号：CN110858567A

    公开(公告)日：2020-03-03

    申请号：CN201910736321.0

    申请日：2019-08-09

    Applicant: 三星电子株式会社

    Inventor： 尹俊浩 ,  金润圣 ,  金尹熙 ,  裴秉文 ,  沈贤洙 ,  崔仲浩

    IPC: H01L23/31 ,  H01L23/544 ,  H01L21/78

    Abstract: 提供了一种半导体装置和一种半导体封装件。所述半导体装置包括：衬底，其包括半导体芯片区域和围绕所述半导体芯片区域的划线区域；绝缘膜，其设置在所述衬底上的所述半导体芯片区域和所述划线区域上方，并且包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、连接所述第一表面和所述第二表面的第三表面，以及与所述第三表面相对并连接所述第一表面和所述第二表面的第四表面；以及开口部分，其形成在所述绝缘膜的所述第二表面和所述绝缘膜的所述第四表面上以暴露所述衬底，其中，所述开口部分形成在所述划线区域中，并且其中所述绝缘膜的所述第一表面和所述绝缘膜的所述第三表面不包括暴露所述衬底的开口部分。

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