公开(公告)号：CN103094432A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210435186.4

申请日：2012-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李完镐 ,  崔丞佑 ,  宋尚烨 ,  孙宗洛

IPC: H01L33/04

CPC classification number: H01L33/10 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括发光结构，以及形成在该发光结构上的反射结构，该发光结构包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层，该反射结构包括纳米杆层和形成在纳米杆层上的反射金属层，该纳米杆层包括多个纳米杆和该多个纳米杆之间的空气填充空间。

公开(公告)号：CN105633257A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510696224.5

申请日：2015-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈载仁 ,  宋尚烨 ,  河宗勋 ,  金起范 ,  崔丞佑

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16245

Abstract: 本发明提供了半导体发光器件和具有半导体发光器件的半导体发光设备。该半导体发光器件可包括：发光结构，其包括具有被划分为第一区和第二区的上表面的第一导电类型的半导体层、按顺序设置在第一导电类型的半导体层的第二区上的有源层和第二导电类型的半导体层；第一接触电极，其设置在第一导电类型的半导体层的第一区上；第二接触电极，其设置在第二导电类型的半导体层上；第一电极焊盘，其电连接至第一接触电极，并且具有设置在第二接触电极上的至少一部分；第二电极焊盘，其电连接至第二接触电极；以及多层反射结构，其介于第一电极焊盘与第二接触电极之间，并且包括具有不同的折射率并且交替地堆叠的多个介电层。

公开(公告)号：CN102903814A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210306242.4

申请日：2012-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金起范 ,  许元九 ,  崔丞佑 ,  李承宰 ,  李时赫 ,  金台勋

IPC: H01L33/20

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/20

Abstract: 本发明提供一种制造半导体发光器件的方法，该方法包括：准备衬底，其包括彼此相对的第一及第二主表面；在衬底的第一主表面中形成多个突起部；在其上形成有多个突起部的第一主表面上形成发光叠层，该发光叠层包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；通过移除形成在对应于围绕多个突起部的沟槽部的区域中的发光叠层部分形成多个发光结构；以及沿着沟槽部分离衬底。

公开(公告)号：CN105633257B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201510696224.5

申请日：2015-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈载仁 ,  宋尚烨 ,  河宗勋 ,  金起范 ,  崔丞佑

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16245

Abstract: 本发明提供了半导体发光器件和具有半导体发光器件的半导体发光设备。该半导体发光器件可包括：发光结构，其包括具有被划分为第一区和第二区的上表面的第一导电类型的半导体层、按顺序设置在第一导电类型的半导体层的第二区上的有源层和第二导电类型的半导体层；第一接触电极，其设置在第一导电类型的半导体层的第一区上；第二接触电极，其设置在第二导电类型的半导体层上；第一电极焊盘，其电连接至第一接触电极，并且具有设置在第二接触电极上的至少一部分；第二电极焊盘，其电连接至第二接触电极；以及多层反射结构，其介于第一电极焊盘与第二接触电极之间，并且包括具有不同的折射率并且交替地堆叠的多个介电层。

公开(公告)号：CN102456792B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201110350755.0

申请日：2011-11-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许元九 ,  申永澈 ,  金起范 ,  崔丞佑

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/42 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/025 ,  H01L2933/0016

Abstract: 提供了一种制造半导体发光器件的方法，该方法包括：通过在基底上顺序地生长n型氮化物半导体层、活性层和p型氮化物半导体层来形成发光结构；通过溅射工艺在p型氮化物半导体层上形成透明电极；在溅射工艺之前或者在溅射工艺过程中，在执行溅射工艺的反应室的内部形成氮气气氛。在根据本发明的实施例获得的半导体发光器件的情况下，可以在通过溅射工艺制造透明电极的过程中，使因氮空位造成的电极特性的劣化现象最小化，从而能够提供具有明显改善的电学特性的透明电极。

公开(公告)号：CN103311168A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310071226.6

申请日：2013-03-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔丞佑 ,  朴庆善

IPC: H01L21/68

CPC classification number: F16M13/00 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/681

Abstract: 本发明公开了一种晶片对准装置和方法，所述晶片对准装置包括：第一晶片保持器和第二晶片保持器，分别支撑第一晶片和第二晶片；保持器运动单元，被构造成使第一晶片保持器和第二晶片保持器中的至少一个运动，从而使第一晶片和第二晶片彼此预对准并彼此面对；一个或更多个观测单元，相对于预对准的第一晶片和第二晶片沿水平方向布置，并被构造成在第一晶片和第二晶片通过保持器运动单元彼此预对准的状态下观测第一晶片和第二晶片的边缘部分；控制单元，被构造成基于由所述一个或更多个观测单元观测到的信息控制保持器运动单元，以当第一晶片和第二晶片的边缘部分在期望的对准状态之外时使第一晶片和第二晶片再对准。

公开(公告)号：CN101685769A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200910169035.7

申请日：2009-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申宰奉 ,  李炳俊 ,  石承大 ,  崔丞佑 ,  金重铉 ,  洪相一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67092 ,  H01L21/2007

Abstract: 本发明的一方面提供一种晶片键合装置，该晶片键合装置具有被构造成压迫被固定在固定装置中的晶片的压迫装置，其中，固定装置被构造成允许压迫装置在不形成抵触的情况下压迫晶片。该晶片键合装置可包括：支撑构件，被构造成支撑上晶片和下晶片；推动构件，在上晶片上；固定装置，被构造成将推动构件固定到支撑构件上，其中，推动构件包括从上晶片的外周向外延伸的固定部分，固定装置结合到固定部分。本发明的一方面还在于提供一种用于键合晶片的方法。