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公开(公告)号：CN118298880A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311509125.2
申请日：2023-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种包括存储器装置和存储器控制器的存储器系统。存储器装置包括被配置为通过第一输入/输出焊盘接收输入/输出信号的第一存储器芯片和具有通过映射连接而连接到第一输入/输出焊盘的第二输入/输出焊盘的第二存储器芯片的封装。存储器控制器被配置为向存储器装置提供输入/输出信号。由于映射连接，第二存储器芯片被配置为接收与存储器控制器提供给第一存储器芯片的输入/输出信号不同的输入/输出信号。第一和第二存储器芯片被配置为基于映射连接选择性地忽略由存储器控制器提供的输入/输出信号。
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公开(公告)号：CN107230499B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201710169293.X
申请日：2017-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开一种非易失性存储器装置及其编程验证操作的方法。所述非易失性存储器装置可包括：单元阵列、第一页缓冲器以及第二页缓冲器。第一页缓冲器可连接到单元阵列的第一存储器单元，并且可存储在编程验证操作期间通过感测第一存储器单元的编程操作是否完成而生成的第一感测数据。第二页缓冲器可连接到单元阵列的第二存储器单元。在编程验证操作期间，第二页缓冲器可基于通过感测第二存储器单元的编程操作是否完成而生成的第二感测数据来生成并存储第一验证数据，可从第一页缓冲器接收第一感测数据，并且可存储通过累积第一感测数据和第一验证数据而生成的第二验证数据。
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公开(公告)号：CN107230499A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710169293.X
申请日：2017-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3459 , G06F11/2094 , G11C7/106 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/26
Abstract: 公开一种非易失性存储器装置及其编程验证操作的方法。所述非易失性存储器装置可包括：单元阵列、第一页缓冲器以及第二页缓冲器。第一页缓冲器可连接到单元阵列的第一存储器单元，并且可存储在编程验证操作期间通过感测第一存储器单元的编程操作是否完成而生成的第一感测数据。第二页缓冲器可连接到单元阵列的第二存储器单元。在编程验证操作期间，第二页缓冲器可基于通过感测第二存储器单元的编程操作是否完成而生成的第二感测数据来生成并存储第一验证数据，可从第一页缓冲器接收第一感测数据，并且可存储通过累积第一感测数据和第一验证数据而生成的第二验证数据。
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