公开(公告)号：CN109755380A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811317780.7

申请日：2018-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹相俊 ,  金相局 ,  金哉勋 ,  卢恩仙 ,  吴世忠 ,  李成喆 ,  郑大恩

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/08

Abstract: 提供了磁存储器件。一种磁存储器件包括：在基板上的第一电极；磁隧道结图案，包括顺序堆叠在第一电极上的第一磁性层、隧道势垒层和第二磁性层；以及在磁隧道结图案上的第二电极。第一电极和/或第二电极关于磁隧道结图案的表面结合能相对低。

公开(公告)号：CN113571582A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110441724.X

申请日：2021-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹相俊 ,  权义熙 ,  金星男 ,  安孝信

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 提供具有金属栅极结构的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件及其制造方法，其中在MOSFET器件中，该金属栅极结构的功函数沿着沟道的长度方向是均匀的。该MOSFET器件包括：半导体基板；有源区，在半导体基板上并在第一方向上延伸；以及在半导体基板上的栅极结构。栅极结构在与第一方向相交的第二方向上跨过有源区延伸，并包括依次堆叠在有源区上的高k层、第一金属层、功函数控制(WFC)层和第二金属层。WFC层的下表面可以在第一方向上比在第一金属层的下表面和高k层的上表面之间的第一界面长。

公开(公告)号：CN109935682A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201811398018.6

申请日：2018-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成喆 ,  吴世忠 ,  尹相俊 ,  金哉勋 ,  南坰兑 ,  卢恩仙

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

Abstract: 提供了磁性存储器装置和用于制造其的方法，所述磁性存储器装置包括：基底；隧道势垒图案，位于基底上；第一磁性图案和第二磁性图案，彼此分隔开并且隧道势垒图案位于第一磁性图案和第二磁性图案之间；以及短路防止图案，与隧道势垒图案分隔开并且第二磁性图案位于短路防止图案和隧道势垒图案之间。短路防止图案包括交替堆叠的至少两个氧化物层和至少两个金属层。

公开(公告)号：CN109935682B

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN201811398018.6

申请日：2018-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成喆 ,  吴世忠 ,  尹相俊 ,  金哉勋 ,  南坰兑 ,  卢恩仙

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10N50/01

Abstract: 提供了磁性存储器装置和用于制造其的方法，所述磁性存储器装置包括：基底；隧道势垒图案，位于基底上；第一磁性图案和第二磁性图案，彼此分隔开并且隧道势垒图案位于第一磁性图案和第二磁性图案之间；以及短路防止图案，与隧道势垒图案分隔开并且第二磁性图案位于短路防止图案和隧道势垒图案之间。短路防止图案包括交替堆叠的至少两个氧化物层和至少两个金属层。