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公开(公告)号：CN118155683A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311553881.5
申请日：2023-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了非易失性存储器装置、操作非易失性存储器装置的方法和存储装置。非易失性存储器装置包括：具有串联连接的泵单元的电荷泵电路，电荷泵电路接收用于电荷泵送的外部电压，并根据级控制信号输出级中的泵电压；开关电路，其响应于开关控制信号控制电荷泵电路输出泵送电压；级控制器，其基于温度码输出级控制信号和开关控制信号；以及数字温度传感器，其生成温度码。
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公开(公告)号：CN116110466A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211243666.0
申请日：2022-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据本公开，一种非易失性存储器件可以包括：运算放大器，将参考电压与反馈节点的电压进行比较；第一反馈网络电路，通过响应于运算放大器的输出电压对输入电压进行分压来生成第一输出电压，并且响应于第一反馈信号将与第一输出电压相对应的电压发送到反馈节点；第二反馈网络电路，通过响应于运算放大器的输出电压对输入电压进行分压来生成第二输出电压，并且响应于第二反馈信号将与第二输出电压相对应的电压发送到反馈节点；以及第三反馈网络电路，通过响应于运算放大器的输出电压对输入电压进行分压来生成第三输出电压，并且响应于第三反馈信号将与第三输出电压相对应的电压发送到反馈节点。
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公开(公告)号：CN118298878A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311871475.3
申请日：2023-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种存储器件，在该存储器件中，至少一条字线或至少一条位线通过多个充电端子进行充电。该存储器件包括第一充电端子和第二充电端子，该第一充电端子用于向至少一条字线或至少一条位线供应第一电压，该第二充电端子用于当通过第一充电端子的电压供应完成时，向至少一条字线或至少一条位线供应第二电压。当使用第一电压进行充电的至少一条字线或至少一条位线的经充电的电压满足第一参考条件时，开始供应第二电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118230772A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311651825.5
申请日：2023-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了包括电压生成器的非易失性存储器件和操作非易失性存储器件的方法，所述方法包括：计算第一字线节点的电压电平与第二字线节点的电压电平之间的差；基于所述电压电平之间的差将所述电压生成器的第一参考电压电平改变为第二参考电压电平；以及基于所述第一参考电压电平和所述第二参考电压电平中的一者确定目标电压电平。与所述第二字线节点相比，所述第一字线节点可以更靠近所述电压生成器的输出端。
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公开(公告)号：CN118335155A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202311223995.3
申请日：2023-09-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器件，包括：存储单元阵列，包括耦接到字线的存储单元；升压电路，接收外部电源电压，并基于外部电源电压生成升压电压；调节器，基于外部电源电压生成调节电压；以及控制逻辑，控制提供给字线的字线电压。控制逻辑在针对存储单元阵列的编程操作中执行多个编程循环。控制逻辑向与所选择的字线相邻的相邻字线提供相邻字线电压。在编程循环的第一部分中，控制逻辑提供调节电压作为相邻字线电压，并且在编程循环的第二部分中，控制逻辑提供升压电压作为相邻字线电压。
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公开(公告)号：CN118298891A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410008139.4
申请日：2024-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/12
Abstract: 提供字线缺陷检测电路、字线缺陷检测方法和存储器装置。所述字线缺陷检测电路被配置为检测从存储器装置的多条字线之中选择的至少一条字线的缺陷，所述字线缺陷检测电路包括：电流生成电路，被配置为生成具有第一大小的检测参考电流并将检测参考电流施加到被选字线；以及感测放大器，被配置为测量基于检测参考电流而生成的被选字线的电压。所述字线缺陷检测电路可被配置为响应于被选字线的所述电压具有小于第一参考电压的值而检测到被选字线的缺陷。
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公开(公告)号：CN118486351A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202311781893.3
申请日：2023-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了非易失性存储器件以及控制非易失性存储器件的方法。在一些实施例中，一种非易失性存储器件包括：电压发生器，所述电压发生器被配置为生成开关源电压；多个高电压开关电路，所述多个高电压开关电路被分组成多个开关组，并且被配置为基于所述开关源电压来生成多个开关控制信号；导电路径，所述导电路径被配置为将所述开关源电压从所述电压发生器传送到所述多个高电压开关电路；多个高电压开关，所述多个高电压开关被配置为基于所述多个开关控制信号来传送高电压；以及控制电路，所述控制电路被配置为相对于所述多个开关组中的每一个开关组独立地控制所述多个开关控制信号的转换时序。
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公开(公告)号：CN118280416A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202311574590.4
申请日：2023-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在一种操作存储器设备的方法中，通过将第一驱动电压施加到多条字线对存储器块执行第一操作。在完成第一操作之后，执行释放施加到所述多条字线的第一驱动电压的第一恢复操作。在完成第一恢复操作之后，通过将第二驱动电压施加到所述多条字线对存储器块执行第二操作。在第一恢复操作中，将由第一驱动电压存储的多个电荷当中的第一电荷存储在连接到至少一条电荷回收字线的电荷回收存储器块中。在第二操作中，使用存储在电荷回收存储器块中的第一电荷将第二驱动电压施加到所述多条字线。
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