公开(公告)号：CN110556136B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN201910348734.1

申请日：2019-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋成镇 ,  朴贤郁 ,  任琫淳 ,  金道彬

IPC: G11C7/12 ,  G11C16/04 ,  G11C16/14 ,  G11C16/24

Abstract: 本申请提供了擦除非易失性存储器装置中的数据的方法和执行该方法的非易失性存储器装置。在擦除包括存储器块的非易失性存储器装置中的数据的方法中，针对各个预定循环确定用于存储器块的数据擦除特性是否变差。存储器块中具有多个存储器单元，所述多个存储器单元相对于底部衬底在竖直方向上堆叠。当确定数据擦除特性变差时，通过改变施加至用于选择存储器块作为擦除目标块的选择晶体管的电压的电平来执行数据擦除操作。

公开(公告)号：CN110556136A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910348734.1

申请日：2019-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋成镇 ,  朴贤郁 ,  任琫淳 ,  金道彬

IPC: G11C7/12 ,  G11C16/04 ,  G11C16/14 ,  G11C16/24

Abstract: 本申请提供了擦除非易失性存储器装置中的数据的方法和执行该方法的非易失性存储器装置。在擦除包括存储器块的非易失性存储器装置中的数据的方法中，针对各个预定循环确定用于存储器块的数据擦除特性是否变差。存储器块中具有多个存储器单元，所述多个存储器单元相对于底部衬底在竖直方向上堆叠。当确定数据擦除特性变差时，通过改变施加至用于选择存储器块作为擦除目标块的选择晶体管的电压的电平来执行数据擦除操作。