公开(公告)号：CN110875327A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910834101.1

申请日：2019-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安圣洙 ,  孙龙勋 ,  金民爀 ,  闵在豪 ,  张大铉

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供了集成电路装置及其形成方法。装置可包括：衬底，其包括单元区域和延伸区域；以及导电层，其在竖直方向上堆叠在单元区域上。导电层可延伸到延伸区域上并且可在延伸区域上具有阶梯结构。装置还可包括：竖直结构，其位于衬底上。每个竖直结构可在竖直方向上延伸，并且竖直结构可包括在单元区域上的第一竖直结构和在延伸区域上的第二竖直结构。第一竖直结构可延伸穿过导电层并且可包括第一沟道层，第二竖直结构可处于阶梯结构中并且可包括第二沟道层，并且第二沟道层可在竖直方向上与衬底间隔开。

公开(公告)号：CN110729306A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910413646.5

申请日：2019-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 杨韩光 ,  孙龙勋 ,  康文综 ,  权赫镐 ,  安圣洙 ,  李昭润

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11573

Abstract: 提供了三维半导体装置，所述三维半导体装置包括：外围电路结构，设置在下基底上并且包括内部外围垫部；上基底，设置在外围电路结构上；堆叠结构，设置在上基底上并且包括栅极水平图案；竖直沟道结构，在上基底上的第一区中穿过堆叠结构；第一竖直支撑结构，在上基底上的第二区中穿过堆叠结构；以及内部外围接触结构，穿过堆叠结构和上基底并且电连接到内部外围垫部，其中，第一竖直支撑结构的上表面设置在与竖直沟道结构的上表面不同的水平上并且与内部外围接触结构的上表面共面。

公开(公告)号：CN112652628A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202010802422.6

申请日：2020-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋承砇 ,  高秉贤 ,  权容真 ,  金江旻 ,  申载勋 ,  申重植 ,  安圣洙 ,  李承桓

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578

Abstract: 提供了一种存储装置。所述存储装置包括：衬底；堆叠结构，所述堆叠结构包括沿垂直方向在所述衬底上交替堆叠的多个栅极层和多个层间绝缘层，所述堆叠结构包括成行的切口，每个所述切口沿第一水平方向延伸并且被配置为分割所述多个栅极层，所述切口彼此分开并且在所述堆叠结构的单元区域中沿所述第一水平方向布置；以及成行的沟道结构，所述沟道结构在所述单元区域中沿所述第一水平方向布置，每个所述沟道结构在所述垂直方向上延伸以穿透所述多个栅极层。

公开(公告)号：CN111435664A

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：CN201911399515.2

申请日：2019-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李亥濬 ,  安圣洙 ,  金荷那

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11578

Abstract: 提供了一种三维半导体存储器件。该存储器件包括：衬底，具有单元阵列区域以及与单元阵列区域相邻的连接区域，连接区域包括第一焊盘区域和第二焊盘区域；电极结构，包括堆叠在衬底上的电极，电极结构包括形成上部阶梯结构的上部；第一虚设结构，与电极结构的上部横向间隔开，并且设置在第一焊盘区域上；以及第二虚设结构，与电极结构的上部横向间隔开，并设置在第二焊盘区域上。第一虚设结构和第二虚设结构中的每一个包括虚设阶梯结构，并且第一虚设结构位于比第二虚设结构更高的水平面处。