公开(公告)号：CN114256269A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202110836683.4

申请日：2021-07-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高秉贤 ,  宋承砇 ,  申重植 ,  权容真 ,  金振赫 ,  孙洪翼

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11573

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，具有单元阵列和延伸区域；栅电极结构，具有沿第一方向堆叠的栅电极；沟道，在单元阵列区域上穿过栅电极结构；第一划分图案，在单元阵列和延伸区域上沿第二方向延伸，该第一划分图案位于栅电极结构在第三方向上的相对侧；绝缘图案结构，在延伸区域上部分地穿过栅电极结构；通孔，穿过绝缘图案结构；以及支撑层，在栅电极结构上并在单元阵列和延伸区域上延伸，该支撑层接触第一划分图案的上侧壁，并且该支撑层不接触延伸区域上的第一划分图案与绝缘图案结构相邻的部分的上表面。

公开(公告)号：CN113823634A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202110670054.9

申请日：2021-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金江旻 ,  申重植 ,  孙洪翼 ,  宋炫周

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 一种垂直存储器件包括栅电极结构、沟道、接触插塞和支撑结构，栅电极结构形成在包括单元阵列区域和垫区域的衬底上。栅电极结构包括在第二方向上延伸并在垫区域上沿第一方向堆叠成阶梯形状的栅电极。沟道在单元阵列区域上延伸穿过栅电极结构。接触插塞分别接触栅电极结构的台阶中的对应的台阶。支撑结构分别延伸穿过台阶中的所述对应的台阶，并在垫区域上沿第一方向延伸。支撑结构包括填充图案以及覆盖填充图案的侧壁和底表面的蚀刻停止图案。每个支撑结构的上表面高于沟道的上表面。

公开(公告)号：CN215578560U

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202121352138.X

申请日：2021-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金江旻 ,  申重植 ,  孙洪翼 ,  宋炫周

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 一种垂直存储器件包括栅电极结构、沟道、接触插塞和支撑结构，栅电极结构形成在包括单元阵列区域和垫区域的衬底上。栅电极结构包括在第二方向上延伸并在垫区域上沿第一方向堆叠成阶梯形状的栅电极。沟道在单元阵列区域上延伸穿过栅电极结构。接触插塞分别接触栅电极结构的台阶中的对应的台阶。支撑结构分别延伸穿过台阶中的所述对应的台阶，并在垫区域上沿第一方向延伸。支撑结构包括填充图案以及覆盖填充图案的侧壁和底表面的蚀刻停止图案。每个支撑结构的上表面高于沟道的上表面。