公开(公告)号：CN110061003B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201811391596.7

申请日：2018-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李知承 ,  姜润升 ,  李成禧 ,  郑祥教 ,  李炫哲

IPC: H10B12/00

Abstract: 本公开提供了一种集成电路器件及其制造方法。该集成电路器件包括：限定有源区域的器件隔离沟槽；填充器件隔离沟槽的器件隔离膜；在第一方向上延伸跨过有源区域和器件隔离膜的栅极沟槽；覆盖栅极沟槽的内壁的栅极电介质膜；以及在栅极电介质膜之上填充栅极沟槽的一部分的导电线。有源区域包括位于导电线下面的鳍主体部分以及从鳍主体部分朝向导电线突出并在第一方向上具有比鳍主体部分的宽度小的宽度的较薄鳍部分。

公开(公告)号：CN110021520B

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN201811464000.1

申请日：2018-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑祥教 ,  姜润升 ,  李成禧 ,  李知承 ,  李炫哲

IPC: H01L21/033

Abstract: 提供了制造集成电路器件的方法。该方法可以使用包括一个光刻工艺和两个双重图案化工艺的四重图案化技术(QPT)工艺在衬底上形成特征图案。通过第一个双重图案化工艺获得的牺牲间隔物和通过第二个双重图案化工艺获得的间隔物可以在特征层上形成在相等的水平面处。

公开(公告)号：CN110061003A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201811391596.7

申请日：2018-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李知承 ,  姜润升 ,  李成禧 ,  郑祥教 ,  李炫哲

IPC: H01L27/108

Abstract: 本公开提供了一种集成电路器件及其制造方法。该集成电路器件包括：限定有源区域的器件隔离沟槽；填充器件隔离沟槽的器件隔离膜；在第一方向上延伸跨过有源区域和器件隔离膜的栅极沟槽；覆盖栅极沟槽的内壁的栅极电介质膜；以及在栅极电介质膜之上填充栅极沟槽的一部分的导电线。有源区域包括位于导电线下面的鳍主体部分以及从鳍主体部分朝向导电线突出并在第一方向上具有比鳍主体部分的宽度小的宽度的较薄鳍部分。

公开(公告)号：CN110021520A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201811464000.1

申请日：2018-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑祥教 ,  姜润升 ,  李成禧 ,  李知承 ,  李炫哲

IPC: H01L21/033

Abstract: 提供了制造集成电路器件的方法。该方法可以使用包括一个光刻工艺和两个双重图案化工艺的四重图案化技术(QPT)工艺在衬底上形成特征图案。通过第一个双重图案化工艺获得的牺牲间隔物和通过第二个双重图案化工艺获得的间隔物可以在特征层上形成在相等的水平面处。