公开(公告)号：CN110391121B

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN201910025780.8

申请日：2019-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴世真 ,  姜泰钧 ,  金有信 ,  金载益 ,  牟燦滨 ,  成德镛 ,  安昇彬 ,  印杰 ,  全允珖

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种半导体基底测量设备以及使用其的等离子体处理设备，该半导体基底测量设备包括产生包括第一波段的光和第二波段的光的照射光的光源单元。光学单元将照射光照射到测量对象上，并且会聚反射光。分光单元将在光学单元中会聚的反射光分束到第一光路和第二光路中。第一检测单元设置在第一光路上并且检测反射光中的在第一波段中的第一干涉光。第二检测单元设置在第二光路上并且检测反射光中的在第二波段中的第二干涉光。控制单元计算测量对象的表面形状和厚度中的至少一种。控制单元计算测量对象的温度。

公开(公告)号：CN110391121A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201910025780.8

申请日：2019-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴世真 ,  姜泰钧 ,  金有信 ,  金载益 ,  牟燦滨 ,  成德镛 ,  安昇彬 ,  印杰 ,  全允珖

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种半导体基底测量设备以及使用其的等离子体处理设备，该半导体基底测量设备包括产生包括第一波段的光和第二波段的光的照射光的光源单元。光学单元将照射光照射到测量对象上，并且会聚反射光。分光单元将在光学单元中会聚的反射光分束到第一光路和第二光路中。第一检测单元设置在第一光路上并且检测反射光中的在第一波段中的第一干涉光。第二检测单元设置在第二光路上并且检测反射光中的在第二波段中的第二干涉光。控制单元计算测量对象的表面形状和厚度中的至少一种。控制单元计算测量对象的温度。