公开(公告)号：CN109841727B

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN201811285410.X

申请日：2018-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晥均 ,  姜德现 ,  金禹珍 ,  林佑昶 ,  郑峻昊

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00

Abstract: 一种制造磁阻随机存取存储器(MRAM)器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成第一磁性层；在所述第一磁性层上形成第一隧道势垒层，使得所述第一隧道势垒层包括第一金属氧化物，所述第一金属氧化物通过在第一温度下氧化第一金属层而形成；在所述第一隧道势垒层上形成第二隧道势垒层，使得所述第二隧道势垒层包括第二金属氧化物，所述第二金属氧化物通过在高于所述第一温度的第二温度下氧化第二金属层而形成；以及在所述第二隧道势垒层上形成第二磁性层。

公开(公告)号：CN109841727A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201811285410.X

申请日：2018-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晥均 ,  姜德现 ,  金禹珍 ,  林佑昶 ,  郑峻昊

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

Abstract: 一种制造磁阻随机存取存储器(MRAM)器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成第一磁性层；在所述第一磁性层上形成第一隧道势垒层，使得所述第一隧道势垒层包括第一金属氧化物，所述第一金属氧化物通过在第一温度下氧化第一金属层而形成；在所述第一隧道势垒层上形成第二隧道势垒层，使得所述第二隧道势垒层包括第二金属氧化物，所述第二金属氧化物通过在高于所述第一温度的第二温度下氧化第二金属层而形成；以及在所述第二隧道势垒层上形成第二磁性层。