公开(公告)号：CN106469729B

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN201610693600.X

申请日：2016-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄喆珍 ,  郭判硕 ,  咸锡准

IPC: H01L27/1157 ,  G11C16/10 ,  G11C16/14 ,  G11C16/26

Abstract: 如下提供了一种非易失性存储装置以及包括其的非易失性存储系统。基板具有外围电路。第一半导体层设置在基板上。第一半导体层包括存储单元区。第一栅极结构设置在第一半导体层上。第一栅极结构包括在与第一半导体层垂直的方向上堆叠的多个第一栅电极以及穿过所述多个第一栅电极的多个垂直沟道结构。第一栅极结构布置在存储单元区中。第二栅极结构设置在基底上。第二栅极结构包括在与第一半导体层垂直的方向上堆叠的多个第二栅电极。第二栅极结构布置在存储单元区外部。

公开(公告)号：CN106469729A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201610693600.X

申请日：2016-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄喆珍 ,  郭判硕 ,  咸锡准

IPC: H01L27/115 ,  G11C16/10 ,  G11C16/14 ,  G11C16/26

CPC classification number: H01L27/11582 ,  G11C5/02 ,  G11C5/025 ,  G11C16/0483 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/24 ,  H01L28/00

Abstract: 如下提供了一种非易失性存储装置以及包括其的非易失性存储系统。基板具有外围电路。第一半导体层设置在基板上。第一半导体层包括存储单元区。第一栅极结构设置在第一半导体层上。第一栅极结构包括在与第一半导体层垂直的方向上堆叠的多个第一栅电极以及穿过所述多个第一栅电极的多个垂直沟道结构。第一栅极结构布置在存储单元区中。第二栅极结构设置在基底上。第二栅极结构包括在与第一半导体层垂直的方向上堆叠的多个第二栅电极。第二栅极结构布置在存储单元区外部。