公开(公告)号：CN100552939C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200410102193.8

申请日：2004-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金容顿 ,  吴钟欢

IPC: H01L23/60 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0266 ,  H01L21/823425 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种静电放电保护器件及其制造方法，包括衬底、形成在衬底中的n阱、形成在n阱上的p阱、形成在p阱上的NMOS晶体管、以及形成在p阱中的接地p+阱拾取器，该NMOS晶体管包括栅极电极、n+源极和n+漏极，其中n阱连接至NMOS晶体管的n+漏极，且n+源极接地。连接n+漏极和n阱，从而减小触发电压和衬底表面的电流密度。

公开(公告)号：CN1630079A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410102193.8

申请日：2004-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金容顿 ,  吴钟欢

IPC: H01L23/60 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0266 ,  H01L21/823425 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种静电放电保护器件及其制造方法，包括衬底、形成在衬底中的n阱、形成在n阱上的p阱、形成在p阱上的NMOS晶体管、以及形成在p阱中的接地p+阱拾取器，该NMOS晶体管包括栅极电极、n+源极和n+漏极，其中n阱连接至NMOS晶体管的n+漏极，且n+源极接地。连接n+漏极和n阱，从而减小触发电压和衬底表面的电流密度。