公开(公告)号：CN108461098A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810092510.4

申请日：2018-01-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申晧荣 ,  吴明姬

IPC: G11C5/14

CPC classification number: G11C16/30 ,  G11C5/145 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/14 ,  G11C16/16 ,  G11C16/26 ,  G11C16/32 ,  G11C16/3445 ,  G11C16/3459 ,  H01L27/0222 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  H01L28/40 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/861 ,  G11C5/147

Abstract: 提供了一种电压产生电路和包括所述电压产生电路的半导体器件。所述电压产生电路包括串联连接的电荷泵，每个电荷泵包括电荷转移晶体管、控制器和偏置电路。所述电荷转移晶体管具有漏极、源极和栅极，所述源极接收第一时钟，所述焊机连接到第一节点并且接收与第一时钟相反的第二时钟。所述控制器包括控制晶体管，所述控制晶体管的源极连接到第一节点，所述控制晶体管的栅极耦接到第一时钟，所述控制晶体管的漏极连接到所述控制晶体管的栅极。所述偏置电路对电荷转移晶体管进行偏置。

公开(公告)号：CN109686393A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811156414.8

申请日：2018-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申晧荣 ,  吴明姬

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/08 ,  G11C16/24

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C7/04 ,  G11C11/4074 ,  G11C16/0425 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/24 ,  G11C16/30 ,  G11C16/3418 ,  G11C2216/04 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/7884

Abstract: 一种闪存设备包括第一存储器单元、第二存储器单元、行解码器和偏置发生器。第一存储器单元是所选存储器单元，第二存储器单元是与连接到第一存储器单元的位线连接的未选存储器单元。行解码器控制要施加到第一存储器单元的字线电压并控制要施加到第二存储器单元的未选源极线电压。偏置发生器基于随环境温度而改变的第一字线晶体管的阈值电压来生成字线电压，并基于所选位线的电压电平来生成未选源极线电压。

公开(公告)号：CN119943109A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411572845.8

申请日：2024-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔炳勋 ,  吴明姬 ,  郑铉泽 ,  崔汉别

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/24

Abstract: 公开了存储器装置、存储器系统和操作存储器装置的方法。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，包括分别连接到多条位线的多个存储器单元；第一复用器，包括连接到所述多条位线的多个晶体管；参考电路，生成参考电流；解码电路，将参考电流传输至第一复用器；以及控制逻辑电路，连接到参考电路和解码电路。控制逻辑电路控制解码电路将参考电流施加至连接到所述多条位线之中的至少两条位线中的每条的晶体管，使得第一电流流过所述至少两条位线。

公开(公告)号：CN109686393B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN201811156414.8

申请日：2018-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申晧荣 ,  吴明姬

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/08 ,  G11C16/24

Abstract: 一种闪存设备包括第一存储器单元、第二存储器单元、行解码器和偏置发生器。第一存储器单元是所选存储器单元，第二存储器单元是与连接到第一存储器单元的位线连接的未选存储器单元。行解码器控制要施加到第一存储器单元的字线电压并控制要施加到第二存储器单元的未选源极线电压。偏置发生器基于随环境温度而改变的第一字线晶体管的阈值电压来生成字线电压，并基于所选位线的电压电平来生成未选源极线电压。