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公开(公告)号：CN109962064A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811267757.1
申请日：2018-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L23/48 , H01L23/485 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括：延伸穿过衬底的通孔电极结构；通孔电极结构上的再分布层；以及导电焊盘，该导电焊盘包括延伸穿过再分布层的贯穿部分以及贯穿部分上的突出部分，所述突出部分从再分布层的上表面突出，其中突出部分的上表面的中间区平坦，并且不比突出部分的上表面的边缘区更靠近衬底。
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公开(公告)号：CN108074908B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201711119538.4
申请日：2017-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体芯片包括：半导体衬底，包括其中配置有凸块的凸块区及不包括凸块的非凸块区；以及钝化层，形成在所述半导体衬底的所述凸块区及所述非凸块区上，其中所述凸块区中所述钝化层的厚度厚于所述非凸块区中所述钝化层的厚度，且在所述凸块区与所述非凸块区之间具有台阶。所述半导体芯片具有提高的可靠性。
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公开(公告)号：CN113451257A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110249687.2
申请日：2021-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L25/065
Abstract: 一种半导体封装件，包括：半导体芯片；再分布层结构，所述再分布层结构设置在所述半导体芯片下方；凸块焊盘，所述凸块焊盘设置在所述再分布层结构下方，并且具有上部结构和下部结构，所述上部结构具有第一宽度，所述下部结构具有小于所述第一宽度的第二宽度；金属晶种层，所述金属晶种层沿着所述上部结构的下表面和所述下部结构的侧表面设置；绝缘层，所述绝缘层围绕所述再分布层结构和所述凸块焊盘；和凸块结构，所述凸块结构设置在所述凸块焊盘下方。第一底切设置在所述金属晶种层的与所述上部结构接触的一端处，第二底切设置在所述金属晶种层的与所述下部结构接触的另一端处。
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公开(公告)号：CN114068473A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110846183.9
申请日：2021-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L25/18
Abstract: 一种半导体封装件，包括：再分布基板，其包括位于彼此不同水平高度的第一再分布图案和第二再分布图案；以及半导体芯片，其位于该再分布基板上并包括电连接到该第一再分布图案和该第二再分布图案的多个芯片焊盘。该第一再分布图案包括位于第一介电层上的第一金属图案，以及位于该第一介电层与该第一金属图案的底表面之间的第一阻挡图案。该第二再分布图案包括在第二介电层中的第二金属图案，以及位于该第二介电层与该第二金属图案的底表面之间以及该第二介电层与该第二金属图案的侧壁之间的第二阻挡图案。
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公开(公告)号：CN112530883A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010748784.1
申请日：2020-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 提供了半导体封装，其包括再分布基板和安装在再分布基板上的半导体芯片。再分布基板可以包括下保护层、设置在下保护层上的第一导电图案、围绕第一导电图案并设置在下保护层上的第一绝缘层、以及设置在第一绝缘层上的第二绝缘层。第一绝缘层可以包括第一上表面，第一上表面包括平行于下保护层的上表面延伸的第一平坦部分、以及面对下保护层并与第一导电图案接触的第一凹陷。第一凹陷可以直接连接到第一导电图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108074908A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711119538.4
申请日：2017-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体芯片包括：半导体衬底，包括其中配置有凸块的凸块区及不包括凸块的非凸块区；以及钝化层，形成在所述半导体衬底的所述凸块区及所述非凸块区上，其中所述凸块区中所述钝化层的厚度厚于所述非凸块区中所述钝化层的厚度，且在所述凸块区与所述非凸块区之间具有台阶。所述半导体芯片具有提高的可靠性。
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公开(公告)号：CN109962064B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201811267757.1
申请日：2018-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/18 , H10B80/00 , H01L23/48 , H01L23/485 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括：延伸穿过衬底的通孔电极结构；通孔电极结构上的再分布层；以及导电焊盘，该导电焊盘包括延伸穿过再分布层的贯穿部分以及贯穿部分上的突出部分，所述突出部分从再分布层的上表面突出，其中突出部分的上表面的中间区平坦，并且不比突出部分的上表面的边缘区更靠近衬底。
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公开(公告)号：CN113540013A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202011412819.0
申请日：2020-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/768 , H01L25/18
Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：过孔钝化层，设置在基底的非活性表面上并且包括凹部；贯穿电极，竖直穿透基底和过孔钝化层；以及过孔保护层，与过孔钝化层和贯穿电极共面并且填充所述凹部。所述凹部形成在过孔钝化层的顶表面中并且设置为与贯穿电极相邻。在水平剖视图中，过孔保护层具有围绕贯穿电极的带状。
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公开(公告)号：CN112310002A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010644781.3
申请日：2020-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/528 , H01L23/535
Abstract: 一种半导体封装包括：包括芯片焊盘的半导体芯片；在半导体芯片上的下再分布结构，该下再分布结构包括下再分布绝缘层和电连接到半导体芯片的芯片焊盘的下再分布图案；在半导体芯片的至少一部分上的模制层；以及在模制层中的导电柱，该导电柱具有底表面和顶表面，该导电柱的底表面与下再分布结构的下再分布图案接触，并且该导电柱的顶表面具有凹入的形状。
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公开(公告)号：CN103426847A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310175220.3
申请日：2013-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/528
CPC classification number: H01L23/49827 , H01L23/481 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L2924/0002 , H05K2201/09563 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件，包括在衬底的表面上的绝缘层、垂直通过衬底和绝缘层且暴露于绝缘层上的通孔结构、以及在暴露的通孔结构的表面上的通孔焊盘。通孔焊盘包括通孔焊盘本体、在通孔焊盘本体下面且突出到绝缘层中并围绕通孔结构的通孔焊盘嵌件。通孔焊盘本体和通孔焊盘嵌件包括直接在绝缘层上的通孔焊盘阻挡层和在通孔焊盘阻挡层上的通孔焊盘金属层。
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