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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1747063B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200510089338.X
申请日：2005-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/401 , G11C7/00
CPC classification number: G11C7/065 , G11C11/406 , G11C11/4091 , G11C2211/4065
Abstract: 半导体存储器，包括第一存储单元，连接在通过第一地址存取的第一字线与反相位线之间；第二存储单元，连接在通过第二地址存取的第二字线与位线之间；第一型检测放大器，串接在该位线与该反相位线之间，如果在第一启动信号上施加第一电压，使第一型第一MOS晶体管检测该反相位线及第一型第二MOS晶体管检测该位线、第二型第一检测放大器，串接在该位线与该反相位线之间，其中第二型第一MOS晶体管的检测能力比第二型第二MOS晶体管好；以及第二型第二检测放大器，其串接在该位线与该反相位线之间，其中第二型第四MOS晶体管的检测能力比第二型第三MOS晶体管好。本发明可通过延长刷新周期，降低刷新操作的电源消耗。
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公开(公告)号：CN1747067A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510083345.9
申请日：2005-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4094 , G11C7/12
Abstract: 提供一种用于增强预充电方案和读出放大方案的集成电路存储器的位线驱动电路和位线驱动方法。在位线驱动电路中，使用利用辅助电路将位线预充电至大于或小于电压VCCA/2的电压的新方案来提高包含在每个读出放大电路中的晶体管的栅极－源极电压。此外，当单元数据为1和0时，伪单元可以保持在电荷共享后产生的位线BL和BLB之间的电压差。此外，由偏移控制电路控制的读出放大电路可以消除包含在每个读出放大电路中的晶体管之间的阈电压偏移。此时，辅助电路用于稳定电压差。
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公开(公告)号：CN1747063A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510089338.X
申请日：2005-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/401 , G11C7/00
CPC classification number: G11C7/065 , G11C11/406 , G11C11/4091 , G11C2211/4065
Abstract: 半导体存储器及检测其位线的方法。该半导体存储器包括一第一存储单元，其连接在一通过一第一地址存取的第一字线与一反相位线之间；一第二存储单元，其连接在一通过一第二地址存取的第二字线与一位线之间；一第一型检测放大器，其串接在该位线与该反相位线之间，如果在一第一启动信号上施加一第一电压，使一第一型第一MOS晶体管检测该反相位线及一第一型第二MOS晶体管检测该位线、一第二型第一检测放大器，其串接在该位线与该反相位线之间，其中第二型第一MOS晶体管的检测能力比第二型第二MOS晶体管好；以及一第二型第二检测放大器，其串接在该位线与该反相位线之间，其中第二型第四MOS晶体管的检测能力比第二型第三MOS晶体管好。
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