公开(公告)号：CN118352370A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410041519.8

申请日：2024-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金净惠 ,  公拮宇 ,  金东炫 ,  金声仁

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：衬底以及第一共享像素和第二共享像素，第一共享像素和第二共享像素在横跨衬底的第一方向上彼此相邻地延伸。共享像素中的每一个包括：多个浮置扩散区域，其位于衬底内的间隔开的位置处；以及多个间隔开的源极跟随器栅极，其电连接到多个浮置扩散区域。提供了深沟槽隔离结构，其在衬底内延伸并且至少部分地将第一共享像素和第二共享像素彼此分隔开。提供了接触阻挡结构，其在衬底上延伸，与深沟槽隔离结构竖直地重叠，至少部分地将第一共享像素和第二共享像素彼此分隔开，并且被布置成具有在与第一方向正交的第二方向上的长轴并且在第一共享像素的源极跟随器栅极和第二共享像素的源极跟随器栅极之间。

公开(公告)号：CN116190398A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202211510038.4

申请日：2022-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金灿亨 ,  公拮宇 ,  梁至希 ,  李康俊

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：光电转换器件区域，其在衬底中；以及隔离结构，其在从衬底的第一表面到与第一表面相对的第二表面的方向上延伸，在平面图中围绕光电转换器件区域，并且具有与光电转换器件区域的侧表面相邻的第一区域和与光电转换器件区域的每个拐角相邻的第二区域。隔离结构包括：第一隔离层，其分别围绕光电转换器件区域；第二隔离层，其围绕第一隔离层；第一间隙填充图案，其填充第一区域中的第二隔离层之间的空间的至少一部分；以及第二间隙填充图案，其在平面图中填充第二区域中的第二隔离层之间的空间的至少一部分。