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发明公开
图像传感器及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN116190398A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202211510038.4

申请日：2022-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金灿亨 , 公拮宇 , 梁至希 , 李康俊

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：光电转换器件区域，其在衬底中；以及隔离结构，其在从衬底的第一表面到与第一表面相对的第二表面的方向上延伸，在平面图中围绕光电转换器件区域，并且具有与光电转换器件区域的侧表面相邻的第一区域和与光电转换器件区域的每个拐角相邻的第二区域。隔离结构包括：第一隔离层，其分别围绕光电转换器件区域；第二隔离层，其围绕第一隔离层；第一间隙填充图案，其填充第一区域中的第二隔离层之间的空间的至少一部分；以及第二间隙填充图案，其在平面图中填充第二区域中的第二隔离层之间的空间的至少一部分。

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