公开(公告)号：CN1459844A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN03145422.4

申请日：2003-04-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全振源 ,  金永郁 ,  朴泰洙 ,  李京泰

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76807 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1063 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种使用低－k介电有机聚合物作为绝缘层形成双大马士革互连的方法。仅仅利用一个硬掩模层，使用蚀刻速率不同于自对准衬片的硬掩模层和蚀刻－停止层防止灰化损伤绝缘层。而且，可以形成小于光刻工艺的分辨极限的通孔。由此，工艺被简化且不发生光致抗蚀剂尾部现象。

公开(公告)号：CN1317756C

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN03145422.4

申请日：2003-04-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全振源 ,  金永郁 ,  朴泰洙 ,  李京泰

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/76807 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1063 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种使用低-k介电有机聚合物作为绝缘层形成双大马士革互连的方法。仅仅利用一个硬掩膜层，使用蚀刻速率不同于自对准衬片的硬掩膜层和蚀刻-停止层防止灰化损伤绝缘层。而且，可以形成小于光刻工艺的分辨极限的通孔。由此，工艺被简化且不发生光致抗蚀剂尾部现象。