公开(公告)号：CN102915928A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210271354.0

申请日：2012-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李哉勋 ,  金基世 ,  李正熙 ,  任基植 ,  金东硕

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/2003

Abstract: 提供了一种制造功率器件的方法，该方法可通过生长n-GaN而形成第二漂移区，从而晶体不会被破坏并且可确保可靠性。并且，可以不额外使用离子注入装置，从而可简化处理并且可降低成本。此外，第一漂移区和第二漂移区交替布置以形成n-GaN和p-GaN的超结结构，从而当施加反向电压时由于耗尽层的形成而提高了耐受电压。通过降低源电极接触层中的导通电阻，可增加电流密度。具有高于第二漂移区的n型掺杂剂掺杂浓度的n-GaN层可形成在第二漂移区上，并且功率器件能够进行常闭操作，从而可降低功耗。