公开(公告)号：CN106571304B

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201610210080.2

申请日：2016-04-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 乔治·A·吉尔 ,  咖尼时·海德 ,  沃克·森古皮塔 ,  伯纳·J·欧博阿多威 ,  马克·S·荣德

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了形成半导体器件的方法。所述方法可以包括：在基底上形成多个鳍形沟道；形成横跨所述多个鳍形沟道的栅极结构；形成与栅极结构的一侧相邻的源极/漏极。源极/漏极可以横跨所述多个鳍形沟道并可以电连接到所述多个鳍形沟道。所述方法还可以包括：在源极/漏极的上表面上形成金属层以及在金属层上与源极/漏极相对地形成导电接触件。导电接触件在金属层的纵向方向上的第一长度可以比金属层在金属层的纵向方向上的第二长度小。

公开(公告)号：CN106571304A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201610210080.2

申请日：2016-04-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 乔治·A·吉尔 ,  咖尼时·海德 ,  沃克·森古皮塔 ,  伯纳·J·欧博阿多威 ,  马克·S·荣德

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/485 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/66477 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76838

Abstract: 提供了形成半导体器件的方法。所述方法可以包括：在基底上形成多个鳍形沟道；形成横跨所述多个鳍形沟道的栅极结构；形成与栅极结构的一侧相邻的源极/漏极。源极/漏极可以横跨所述多个鳍形沟道并可以电连接到所述多个鳍形沟道。所述方法还可以包括：在源极/漏极的上表面上形成金属层以及在金属层上与源极/漏极相对地形成导电接触件。导电接触件在金属层的纵向方向上的第一长度可以比金属层在金属层的纵向方向上的第二长度小。