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公开(公告)号：CN116344565A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211594145.X
申请日：2022-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器可包括：下衬底上的下器件；下衬底上的中间衬底上的中间器件；以及中间衬底上的上衬底上的上器件。下器件可包括逻辑晶体管。中间器件可包括至少一个晶体管。上器件可包括光电二极管和浮置扩散区。下衬底、中间衬底和上衬底可被堆叠。中间衬底可包括第一半导体层、氧化硅层和第二半导体层图案的堆叠件。绝缘图案填充由第一半导体层的一个或多个内表面至少部分地限定的开口。埋置绝缘图案填充延伸穿过第二半导体层图案的沟槽。
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公开(公告)号：CN103928516B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201310376017.2
申请日：2013-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件，包括：基板，具有掺杂成第一导电类型的漂移区；沟槽，通过垂直地蚀刻基板的上表面而形成；栅极，沿着沟槽的侧壁布置；栅氧化物层，布置在沟槽的侧壁与栅极之间以及在沟槽的底表面与栅极之间；第一导电类型的第一源极区，形成在基板的上表面上；第一导电类型的第二源极区，形成在沟槽的底表面上；第一阱区，形成在第一源极区与漂移区之间；以及第二阱区，形成在第二源极区与漂移区之间，其中第一和第二阱区被掺杂成第二导电类型，该第二导电类型与第一导电类型电学上相反。
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公开(公告)号：CN116387329A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202211640314.9
申请日：2022-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H10K39/34
Abstract: 一种图像传感器包括第一下部芯片和在第一下部芯片上并接合至第一下部芯片的上部芯片。第一下部芯片和上部芯片合起来提供多个像素。多个像素中的各个像素包括在上部芯片中的光电转换元件、浮置扩散区、接地区和传输栅极，以及在第一下部芯片中的多个下部晶体管。多个下部晶体管当中的第一下部晶体管包括垂直堆叠的多个第一沟道层以及在多个第一沟道层上的第一栅极。
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公开(公告)号：CN103928516A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201310376017.2
申请日：2013-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L21/2815 , H01L29/0865 , H01L29/1095 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/66734 , H01L29/7803
Abstract: 一种半导体器件，包括：基板，具有掺杂成第一导电类型的漂移区；沟槽，通过垂直地蚀刻基板的上表面而形成；栅极，沿着沟槽的侧壁布置；栅氧化物层，布置在沟槽的侧壁与栅极之间以及在沟槽的底表面与栅极之间；第一导电类型的第一源极区，形成在基板的上表面上；第一导电类型的第二源极区，形成在沟槽的底表面上；第一阱区，形成在第一源极区与漂移区之间；以及第二阱区，形成在第二源极区与漂移区之间，其中第一和第二阱区被掺杂成第二导电类型，该第二导电类型与第一导电类型电学上相反。
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公开(公告)号：CN118173563A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311286691.1
申请日：2023-10-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/70 , H04N25/77
Abstract: 公开了一种图像传感器。所述图像传感器包括：光电转换元件，在第一半导体基底中；第二半导体基底，在第一半导体基底上；源极跟随器晶体管，在第二半导体基底上；以及贯穿插塞，穿透第二半导体基底。贯穿插塞将光电转换元件电连接到源极跟随器晶体管。源极跟随器晶体管的源极端子电连接到第二半导体基底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116344567A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211655573.9
申请日：2022-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：半导体基板，其包括第一像素组和第二像素组，第一像素组和第二像素组中的每一个包括至少四个像素区域，第一像素组和第二像素组共享像素区域中的第一像素区域；像素隔离结构，其设置在半导体基板中并且围绕像素区域中的每一个；第一器件隔离图案，其设置在第二像素组中并且设置在像素隔离结构的第一部分上；浮置扩散区域，其与第一器件隔离图案相邻设置在像素区域中的每一个中；接地掺杂剂区域，其设置在第一像素组中并且设置在像素隔离结构的第二部分上；以及第二器件隔离图案，其设置在第一像素组中并且设置在像素隔离结构的第二部分和接地掺杂剂区域之间。
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公开(公告)号：CN116314220A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211637014.5
申请日：2022-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：第一半导体衬底；光电转换区，所述光电转换区位于所述第一半导体衬底中；和埋置绝缘膜，所述埋置绝缘膜位于所述第一半导体衬底上。所述埋置绝缘膜覆盖所述第一半导体衬底的第一区域并且暴露所述第一半导体衬底的第二区域。所述传感器包括：第二半导体衬底，所述第二半导体衬底位于所述埋置绝缘膜上；操作栅极结构，所述操作栅极结构在所述第二半导体衬底中限定第一导电类型的第一沟道；和转移栅极结构，所述转移栅极结构在所述第一半导体衬底的所述第二区域中限定不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二沟道。
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公开(公告)号：CN118076221A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202311473976.6
申请日：2023-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了集成电路装置。所述集成电路装置包括：基底；下绝缘膜；以及电容器结构，电容器结构包括：多个第一导电图案，顺序地堆叠在下绝缘膜上；多个第二导电图案，在所述多个第一导电图案上；第一过孔，在电容器结构的第一侧，其中，第一过孔与所述多个第一导电图案物理地接触并电连接到所述多个第一导电图案，并且不电连接到所述多个第二导电图案；以及第二过孔，在电容器结构的第二侧，其中，第二过孔与所述多个第二导电图案物理地接触并电连接到所述多个第二导电图案，并且不电连接到所述多个第一导电图案。
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公开(公告)号：CN117174720A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310159917.5
申请日：2023-02-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了半导体封装件及制造该半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括第一半导体芯片、第二半导体芯片和第三半导体芯片。第二半导体芯片包括半导体基底、在半导体基底的第一表面上的第一布线层、在半导体基底的第二表面上的第二布线层以及穿透半导体基底并将第一布线层和第二布线层电连接的贯穿过孔。半导体基底和贯穿过孔通过间隔件结构彼此间隔开。间隔件结构包括与半导体基底接触的第一衬垫层、与贯穿过孔接触的第二衬垫层、在第一衬垫层与第二衬垫层之间的气隙以及在第一衬垫层和第二衬垫层上密封气隙的覆盖层。
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公开(公告)号：CN116153952A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211453217.9
申请日：2022-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 严昌镕
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器可以包括：第一基板，具有彼此相反的第一表面和第二表面，并且包括提供在第一表面附近的浮置扩散区；第二基板，提供在第一基板的第一表面上；中间基板，设置在第一基板和第二基板之间；第一晶体管，设置在中间基板的底表面上；接触图案，将第一晶体管电连接到浮置扩散区；上互连层，提供在中间基板的底表面上；下互连层，在上互连层和第二基板之间；导电焊盘，电连接上互连层和下互连层；以及设置在第二基板上的电容器。接触图案可以穿透中间基板并且可以与浮置扩散区接触。电容器可以比导电焊盘更靠近第二基板。
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