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公开(公告)号：CN104282655B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201410331005.2
申请日：2014-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/785 , H01L23/5286 , H01L23/538 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/105 , H01L27/0207 , H01L27/0629 , H01L27/092 , H01L27/0924 , H01L27/1211 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/15331 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件以及一种制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：第一源电极，其配置为将第一功率轨连接至第一杂质区，所述第一功率轨结合至第一电压源；第二源电极，其配置为将第二功率轨连接至第二杂质区，所述第二功率轨结合至第二电压源，第一电压源和第二电压源不同；栅电极，其位于第一杂质区和第二杂质区上；第一漏电极，其位于第一杂质区上；第二漏电极，其位于第二杂质区上；以及互连线，其连接至第一漏电极和第二漏电极，所述互连线形成至少一个闭环。
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公开(公告)号：CN103226375A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201210586570.4
申请日：2012-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/04
CPC classification number: G06F1/10 , H03K3/356156
Abstract: 本发明涉及一种半导体集成电路及对包括这种电路的装置进行操作的方法。该半导体集成电路包括将时钟信号发送到多个树分支的时钟树、多个脉冲发生器以及多个脉冲分配网络。其中的每个脉冲发生器响应于通过所述树分支发送的时钟信号来生成脉冲。其中的每个脉冲分配网络与所述多个脉冲发生器中的一个脉冲发生器进行通信，并被构造并布置为将每个脉冲发生器所生成的脉冲发送到多个脉冲接收器。
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公开(公告)号：CN104282655A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410331005.2
申请日：2014-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/785 , H01L23/5286 , H01L23/538 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/105 , H01L27/0207 , H01L27/0629 , H01L27/092 , H01L27/0924 , H01L27/1211 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/15331 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件以及一种制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：第一源电极，其配置为将第一功率轨连接至第一杂质区，所述第一功率轨结合至第一电压源；第二源电极，其配置为将第二功率轨连接至第二杂质区，所述第二功率轨结合至第二电压源，第一电压源和第二电压源不同；栅电极，其位于第一杂质区和第二杂质区上；第一漏电极，其位于第一杂质区上；第二漏电极，其位于第二杂质区上；以及互连线，其连接至第一漏电极和第二漏电极，所述互连线形成至少一个闭环。
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