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公开(公告)号：CN108136371A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680060733.1
申请日：2016-11-15
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明的催化剂用粉末具有：包含氧化铈及氧化锆的芯部、以及位于该芯部上且包含氧化铈及氧化锆的表层部，通过X射线光电子能谱法测定的前述表层部的铈的摩尔分数M2(mol％)相对于前述粉末整体的铈的摩尔分数M1(mol％)的比(M2/M1)为0.30以上且0.95以下。将前述粉末整体的锆的摩尔分数M3(mol％)与前述粉末整体的铈的摩尔分数M1(mol％)的比设为M3/1(＝M3/M1)、将通过X射线光电子能谱法测定的锆的摩尔分数M4(mol％)与通过X射线光电子能谱法测定的铈的摩尔分数M2(mol％)的比设为M4/2(＝M4/M2)时，M4/2与前述M3/1的比(M4/2/M3/1)优选为1.1以上且5.0以下。
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公开(公告)号：CN107419226A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710100134.4
申请日：2013-01-11
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C23C14/34 , C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/634
Abstract: 本发明为一种陶瓷圆筒形溅射靶材，其特征在于,所述陶瓷圆筒形溅射靶材为，长度为500mm以上且相对密度为95％以上的一体部件。由于本发明的陶瓷圆筒形溅射靶材为具有高密度且500mm以上的长度的一体部件，因此无需将多个溅射靶材堆叠从而设为长尺寸来使用。因此，由于在磁控管旋转阴极溅射装置等中使用本发明的陶瓷圆筒形溅射靶材的情况下，靶材整体不存在分割部或者其数量较少，因此在溅射中电弧或微粒的产生较少。
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公开(公告)号：CN107419226B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201710100134.4
申请日：2013-01-11
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C23C14/34 , C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/634
Abstract: 本发明为一种陶瓷圆筒形溅射靶材，其特征在于,所述陶瓷圆筒形溅射靶材为，长度为500mm以上且相对密度为95％以上的一体部件。由于本发明的陶瓷圆筒形溅射靶材为具有高密度且500mm以上的长度的一体部件，因此无需将多个溅射靶材堆叠从而设为长尺寸来使用。因此，由于在磁控管旋转阴极溅射装置等中使用本发明的陶瓷圆筒形溅射靶材的情况下，靶材整体不存在分割部或者其数量较少，因此在溅射中电弧或微粒的产生较少。
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公开(公告)号：CN104066700B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201380006061.2
申请日：2013-01-11
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/62695 , C04B35/634 , C04B35/638 , C04B2235/3217 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5409 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , C04B2235/94 , C23C14/3407 , C23C14/3414
Abstract: 本发明为一种陶瓷圆筒形溅射靶材，其特征在于,所述陶瓷圆筒形溅射靶材为，长度为500mm以上且相对密度为95％以上的一体部件。由于本发明的陶瓷圆筒形溅射靶材为具有高密度且500mm以上的长度的一体部件，因此无需将多个溅射靶材堆叠从而设为长尺寸来使用。因此，由于在磁控管旋转阴极溅射装置等中使用本发明的陶瓷圆筒形溅射靶材的情况下，靶材整体不存在分割部或者其数量较少，因此在溅射中电弧或微粒的产生较少。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104066700A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201380006061.2
申请日：2013-01-11
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C04B35/632 , C04B35/00 , C23C14/34
CPC classification number: C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/62695 , C04B35/634 , C04B35/638 , C04B2235/3217 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5409 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , C04B2235/94 , C23C14/3407 , C23C14/3414
Abstract: 本发明为一种陶瓷圆筒形溅射靶材，其特征在于,所述陶瓷圆筒形溅射靶材为，长度为500mm以上且相对密度为95％以上的一体部件。由于本发明的陶瓷圆筒形溅射靶材为具有高密度且500mm以上的长度的一体部件，因此无需将多个溅射靶材堆叠从而设为长尺寸来使用。因此，由于在磁控管旋转阴极溅射装置等中使用本发明的陶瓷圆筒形溅射靶材的情况下，靶材整体不存在分割部或者其数量较少，因此在溅射中电弧或微粒的产生较少。
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公开(公告)号：CN102285791B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201110148663.4
申请日：2011-05-27
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Inventor： 真崎贵则
IPC: C23C14/34 , C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种ITO溅射靶及其制造方法，所述ITO溅射靶的特征在于，Sn的含量以SnO2换算时小于等于质量百分比5％，残留应力为-650～-200Mpa。所述残留应力优选为，在粘合有ITO溅射靶的背板的热膨胀系数在2.386×10-5/℃以下的情况下，为-600～-200Mpa，而在热膨胀系数大于2.386×10-5/℃的情况下，为-650～-250Mpa。即使本发明中的ITO溅射靶的SnO2含量小于等于质量百分比5％也不易产生裂纹，并且，本发明中的ITO溅射靶即使在与铜制的背板等粘合时也不易产生裂纹。
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公开(公告)号：CN119546567A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202380048166.8
申请日：2023-07-04
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C07C63/307 , C07F1/08
Abstract: 提供一种体积平均粒径为1.0μm以上且30.0μm以下、粒径D10相对于粒径D90之比D10/D90为0.35以上且1.00以下的金属有机结构体。金属有机结构体的制造方法包括对包含金属离子供体、多齿配体和溶剂的混配物同时施加离心力和剪切力的离心剪切工序，在该制造方法中，通过包括将供给至前述离心剪切工序的混配物回收并再次供给至离心剪切工序的工序、或者使前述多齿配体的中值粒径D50为0.1μm以上且50.0μm以下，从而可以适合地制造该金属有机结构体。
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公开(公告)号：CN108136371B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201680060733.1
申请日：2016-11-15
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明的催化剂用粉末具有：包含氧化铈及氧化锆的芯部、以及位于该芯部上且包含氧化铈及氧化锆的表层部，通过X射线光电子能谱法测定的前述表层部的铈的摩尔分数M2(mol％)相对于前述粉末整体的铈的摩尔分数M1(mol％)的比(M2/M1)为0.30以上且0.95以下。将前述粉末整体的锆的摩尔分数M3(mol％)与前述粉末整体的铈的摩尔分数M1(mol％)的比设为M3/1(＝M3/M1)、将通过X射线光电子能谱法测定的表层部的锆的摩尔分数M4(mol％)与通过X射线光电子能谱法测定的表层部的铈的摩尔分数M2(mol％)的比设为M4/2(＝M4/M2)时，M4/2与前述M3/1的比(M4/2/M3/1)优选为1.1以上且5.0以下。
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公开(公告)号：CN102285791A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110148663.4
申请日：2011-05-27
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Inventor： 真崎贵则
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种ITO溅射靶及其制造方法，所述ITO溅射靶的特征在于，Sn的含量以SnO2换算时小于等于质量百分比5％，残留应力为-650～-200MPa。所述残留应力优选为，在粘合有ITO溅射靶的背板的热膨胀系数在2.386×10-5/℃以下的情况下，为-600～-200MPa，而在热膨胀系数大于2.386×10-5/℃的情况下，为-650～-250MPa。即使本发明中的ITO溅射靶的SnO2含量小于等于质量百分比5％也不易产生裂纹，并且，本发明中的ITO溅射靶即使在与铜制的背板等粘合时也不易产生裂纹。
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