本发明提供一种半导体结构的制备方法，先在金属层表面形成第一介电层和阻挡结构，阻挡结构位于金属层中的熔丝部的正上方；再形成导电柱、焊盘、第二介电层和图案化的第一光刻胶层，基于图案化的第一光刻胶层刻蚀形成第一开口和第二开口，且第一开口显露阻挡结构，第二开口显露焊盘；最后，去除阻挡结构，在熔丝部上方形成厚度均匀的氧化物。本发明可以通过控制减薄第一介电层的过程，使熔丝部上方的氧化物达到预设厚度，且由于阻挡结构的存在，可保证熔丝部上方的氧化物较好地保留，在熔丝部上方获得减薄后厚度均匀的氧化物；另外，一次曝光显影同时打开焊盘和熔丝天窗，使本发明相较于传统工艺并未增加光刻层数，成本可控。