Invention Grant
- Patent Title: 用于焊盘过刻蚀的检测结构、制备及检测方法
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Application No.: CN202210963411.5Application Date: 2022-08-11
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Publication No.: CN115332099BPublication Date: 2025-01-21
- Inventor: 王帅 , 廖黎明 , 庞洪荣 , 仇峰 , 胡林辉
- Applicant: 上海积塔半导体有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区中国上海浦东新区自由贸易试验区临港新片区云水路600号
- Assignee: 上海积塔半导体有限公司
- Current Assignee: 上海积塔半导体有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区中国上海浦东新区自由贸易试验区临港新片区云水路600号
- Agency: 上海光华专利事务所
- Agent 余明伟
- Main IPC: H01L21/66
- IPC: H01L21/66 ; H01L23/488
Abstract:
本发明提供一种用于焊盘过刻蚀的检测结构、制备及检测方法，在晶圆切割区中形成参比单元及检测单元，并结合介电层构成参比电容及检测电容，由于检测电容中的介电层上方具有介电层检测窗口，且检测焊盘与介电层具有较大的选择蚀刻比，从而在刻蚀的过程中，检测电容中的介电层被刻蚀，使得检测电容的容值发生变化，通过对检测电容及参比电容的电性能数据即电容值的变化的监控，即可反应出焊盘过刻蚀的情况，免于切片确认。
Public/Granted literature
- CN115332099A 用于焊盘过刻蚀的检测结构、制备及检测方法 Public/Granted day:2022-11-11
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IPC分类:
