Invention Grant
- Patent Title: 一种制备半导体垂直剖面结构的光刻方法
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Application No.: CN202210513754.1Application Date: 2022-05-12
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Publication No.: CN114967316BPublication Date: 2024-09-27
- Inventor: 吴挺竹 , 陈金兰 , 赖寿强 , 刘时彪 , 卢霆威 , 陈国龙 , 林宗明 , 朱丽虹 , 吕毅军 , 陈忠
- Applicant: 厦门大学
- Applicant Address: 福建省厦门市思明南路422号
- Assignee: 厦门大学
- Current Assignee: 厦门大学
- Current Assignee Address: 福建省厦门市思明南路422号
- Agency: 厦门市首创君合专利事务所有限公司
- Agent 陈淑娴
- Main IPC: G03F1/00
- IPC: G03F1/00 ; G03F7/00 ; G03F7/20
Abstract:
本发明公开了一种制备半导体垂直剖面结构的光刻方法的制备方法，根据光刻图形设计分隔构件，所述分隔构件包括罩板，罩板具有遮蔽区和镂空区，镂空区周缘垂直向下延伸形成隔板；在半导体基板表面涂覆光刻胶后放置分隔构件，并使隔板嵌入光刻胶中将光刻胶对应遮蔽区和对应镂空区的部分物理隔开，然后进行曝光、显影以及后续的蚀刻工艺。通过分隔构件物理隔离需曝光部分的光刻胶，可实现九十度的垂直剖面，实现了低成本，高精度的光刻工艺。
Public/Granted literature
- CN114967316A 一种制备半导体垂直剖面结构的光刻方法 Public/Granted day:2022-08-30
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